Samsung kurbelt Speicherchip-Produktion in 25 nm an

Marktbeobachter in Asien gehen davon aus, dass Samsung die Fertigung von DRAM-Bausteinen in 25 nm deutlich hochfahren wird. Dies wird als Zeichen gedeutet, der Branche die Zähne zeigen zu wollen, um so den Druck auf die größten Konkurrenten Micron und SK Hynix zu erhöhen.

Während Micron den größten Teil seiner DRAM-Chips noch im 30-nm-Herstellungsprozess fertigt und SK Hynix mit seiner 29-nm-Fertigung im Vergleich nur unwesentlich besser aufgestellt ist, schafft es Samsung Electronics bereits mit hoher Ausbeute DRAM aus dem kleineren 25-nm-Prozess zu gewinnen. Diesen Vorsprung will das Unternehmen laut Digitimes nun weiter ausbauen.

Zwar arbeiten alle Speicherhersteller fieberhaft an der 20-nm-Prozesstechnik und wollen diese auch schnellstmöglich für die DRAM-Massenproduktion finalisieren, doch aktuell gilt die 25-nm-Fertigung noch als Maß der Dinge, wenn es um Ausbeute und Gewinnmargen geht. Marktbeobachter rechnen nicht vor Ende 2014 mit der weitreichenden Umstellung auf den kleineren Produktionsschritt.

Unterdes ist SK Hynix mit seiner Entwicklung bei DRAM-Chips weiter im Hintertreffen. Grund hierfür ist der Großbrand in der chinesischen Fertigungsstätte im September 2013, durch den große Kapazitäten weggefallen sind. Außerdem wurden Technologieträger vernichtet, die den angedachten Zeitplan des Unternehmens für die Umstellung komplett auf den Kopf gestellt haben.