IDF 2015 : Samsung fertigt High Bandwidth Memory ab 2016

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IDF 2015: Samsung fertigt High Bandwidth Memory ab 2016

Samsung hat als einer der Hauptsponsoren des IDF 2015 in einer eigenen Technical Session einen Überblick über das aktuelle Portfolio bei DRAM sowie kommende Produkte gegeben. Dabei bestätigte der koreanische Speicherriese, dass ab dem kommenden Jahr High Bandwidth Memory (HBM) gefertigt wird.

Als Marktführer in dem Speichermarkt stellt sich Samsung erwartungsgemäß sehr breit auf. An HBM kommt deshalb auch Samsung nicht vorbei, gilt die Stacked-DRAM-Technologie doch für viele Märkte als sehr wichtige Lösung. Es schließt in der auch von Micron bekannten Pyramide der verschiedenen Speichertechnologien die erste Lücke zwischen DRAM und Prozessor-Cache.

HBM sei dabei anfangs vornehmlich als teure Lösung in Bereichen vorgesehen, in denen eine hohe Transferrate wichtig ist. Deshalb will Samsung HBM zügig in Größen von bis zu 48 GByte und mit Transferraten von bis zu 1,5 TByte pro Sekunde anbieten. Dabei muss Samsung aber die gleichen Schritte wie der Mitbewerber gehen und klein anfangen. Im Laufe der Zeit soll sich HBM dann aber bis in den Mainstream-Markt durchsetzen.

Ein direktes Konkurrenzprodukt zu Microns und Intels 3D XPoint hat Samsung derzeit nicht zu bieten. Für den Speichermarkt der Zukunft zieht Samsung daher momentan NVDIMM in Betracht, das die zweite Lücke in der Pyramide zwischen DRAM und NAND-SSDs füllen soll. Das nichtflüchtige NVDIMM hat dabei den ersten Schritt bereits erfolgreich absolviert, Ende Mai hat das Speicherkonsortium JEDEC die Basisspezifikationen abgesegnet.

Der Hersteller gibt sich jedoch kämpferisch. Man erforsche weiterhin verschiedene Technologien, angefangen bei STT-MRAM über PRAM bis hin zu ReRAM und hoffe, im kommenden Jahr ebenfalls eine große Ankündigung liefern zu können, um direkt mit 3D XPoint zu konkurrieren. Details zu den Plänen gab es auch auf Nachfrage nicht zu erfahren.

Auch über den Nachfolger von DDR4 macht sich Samsung wie viele andere Hersteller bereits Gedanken. Der Name dieses Nachfolgers steht zwar noch nicht fest – DDR5 ist sehr wahrscheinlich –, die Ziele sind aber klar: Eine höhere Datenrate bei gleichzeitig geringerer Leistungsaufnahme, also ähnlich dem Schritt von DDR3 zu DDR4. Den Prototypenstatus würde der Nachfolger aber frühestens 2018 erreichen, ab 2019 könnte die Technologie dann eingeführt und bis 2025 der Standard-Hauptspeicher werden. Das riesige Zeitfenster ist jedoch noch ein sehr früher Ausblick und kann jederzeit angepasst werden.

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