Speicherproduktion: Samsung setzt weniger auf DRAM und mehr auf NAND-Flash

Nicht nur für den Display-Bereich hat Samsung im Laufe der Woche einen Ausblick im Produktionsfahrplan gegeben. Auch für die Halbleiterspeicher DRAM und NAND-Flash gab es Ansagen. Demnach will Samsung die Investitionen bei DRAM zurückfahren und im Gegenzug den Fokus auf NAND-Flash verstärken.

Laut einem Bericht von Business Korea hat Samsung auf Anlegerversammlungen erstmals öffentlich über die Pläne zur Reduzierung der Investitionen in die DRAM-Fertigung gesprochen. Die derzeit sehr niedrigen Preise und dementsprechend niedrigen Margen bei DRAM sind als Ursache für diesen Entschluss anzusehen. Langfristig könnte eine verringerte DRAM-Produktion wieder zu höheren Preisen führen, wovon nicht nur Samsung, sondern auch andere Hersteller wie Micron profitieren würden.

NAND-Flash ist weitaus profitabler

Mit DRAM, der vor allem als Arbeitsspeicher in PCs, Servern und Mobilgeräten zum Einsatz kommt, lässt sich momentan nicht viel Geld verdienen. Anders sieht es bei NAND-Flash aus, der als Massenspeicher in Smartphones, Tablets, SSDs und Speicherkarten eingesetzt wird. Laut Business Korea würden Samsungs NAND-Flash-Margen (operative margin) durch Kostenreduzierung bei der Herstellung in diesem Jahr von 17 auf 25 Prozent steigen. Welche Margen Samsung bei DRAM erzielt, wird dabei nicht genannt. Ein Analyst hat für Micron DRAM-Margen im niedrigen einstelligen Prozentbereich prognostiziert. Zudem gehen Experten von weiter sinkenden DRAM-Preisen aus, erst im kommenden Jahr soll aus Herstellersicht eine Stabilisierung eintreten.

Umrüsten auf 3D-NAND hat Priorität

Die Fertigungskapazitäten sollen vor allem für die 3D-NAND-Technik erhöht werden. Zwar ist Samsung bei der Technik seit Jahren führend, doch ab diesem Jahr fertigen auch andere Hersteller 3D-NAND in Serie und verstärken ihrerseits den Fokus auf die neue Form des Flash-Speichers, die höhere Kapazitäten, niedrigere Kosten und Vorteile bei Leistung und Leistungsaufnahme bietet. Dementsprechend heißt es für Samsung, die Marktführerschaft zu behaupten.

Samsung sei mit einem Anteil von 31,6 Prozent im NAND-Flash-Markt führend. Dahinter folgen Toshiba und SanDisk mit 18,3 und 17,6 Prozent. Micron liege laut Business Korea bei 13,4 Prozent, SK Hynix bei 10,7 Prozent und Intel bei 7,5 Prozent.