Samsungs Weg zu 10 nm und EUV-Lithografie

Samsung wird sich in den kommenden Jahren auch weiterhin als Auftragsfertiger (Foundry) aufstellen und die Angebote ausbauen. Helfen sollen dabei die Entwicklungen bis zur 10-nm-Fertigung inklusive der zweiten Generation von 3D-Transistoren (FinFETs), für die auch die EUV-Lithografie zum Einsatz kommen soll.

Auf den Präsentationsfolien zum Analyst Day in Südkorea fällt dabei mehr als einmal der Begriff „leadership“, den Samsung in vielen Segmenten erreichen will. Den ersten Schritt auf diesem Weg geht die Halbleitersparte des Konzerns im kommenden Jahr mit der 20-nm-Fertigung. Darauf folgt die Einführung der FinFETs, indem die 20-nm-Technologie mit den 3D-Transistoren gekoppelt wird. An ein exaktes Datum traut sich Samsung dabei aber schon nicht mehr heran.

Mit der 10-nm-Fertigung hat sich Samsung bereits die zweite Generation FinFETs zum Ziel gesetzt. Dafür bedarf es aber neuer Belichtungsmaschinen – Stichwort EUV-Lithografie. Dort will Samsung ebenfalls zu den „early adoptern“ gehören. Auch hier gibt es jedoch keinen Termin. Da ASML als einer der größten Ausrüster für Belichtungsmaschinen mit EUV im Serieneinsatz frühestens 2015 bis 2016 rechnet, da erst dann die Anzahl der gefertigten Wafer pro Stunde wirtschaftlich sei, dürfte allerdings noch so einige Zeit ins Land gehen. Inwiefern die Sparte daher letztlich „leadership“ in den Bereichen bieten kann, bleibt Zukunftsmusik, denn aktuell rennen alle Auftragsfertiger Intel hinterher, die bereits im ersten Quartal 2014 in Serie 14-nm-Chips mit 3D-Transistoren für die „Broadwell“-Prozessoren produzieren wollen.

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