Elpida entwickelt 2 Gbit DDR3-DRAM in 25 nm

Der japanische Speicherhersteller Elpida hat als erstes Unternehmen einen 2 Gbit großen DDR3-DRAM-Chip entwickelt, der in einem 25-Nanometer-Prozess gefertigt wird. Erst in der vergangenen Woche hatte Elpida den Beginn der 30-nm-Massenproduktion im vollen Maßstab für Mai angekündigt, nachdem man im Januar den Anfang machte.

Im Vergleich zum 30-nm-Prozess braucht der neue 25-nm-DRAM-Chip pro Bit 30 Prozent weniger Platz, woraus auch rund 30 Prozent mehr Chips pro Wafer resultieren. Weitere Vorteile ergeben sich bei der Leistungsaufnahme: Im Betrieb ist die Stromstärke der neuen Chips 15 Prozent niedriger, im Standby sogar 20 Prozent. Die Betriebsspannung beträgt dabei 1,5 Volt (DDR3-1866 und höher) bzw. 1,35 Volt (DDR3L-1600). Mit der Auslieferung von Mustern und der Massenproduktion plant Elpida gleichermaßen im Juli zu beginnen. Gegen Ende des Jahres soll zusätzlich ein 4-Gbit-Chip im neuen 25-nm-Prozess gefertigt werden. Pro Wafer soll die Zahl der Chips, verglichen mit dem aktuellen 30-nm-Prozess, hier sogar um 44 Prozent steigen.

Zudem wird der neue Fertigungsprozess auch in zukünftigen Mobile-RAM-Produkten zum Einsatz kommen. In diesem Marktsegment steht für Juni der Beginn der Massenproduktion eines 4 Gbit großen, in 30 nm gefertigten LPDDR2-Chips auf dem Programm. Elpidas Fabrik in Hiroshima wird im zweiten Quartal 20 Prozent seiner Kapazität für den 30-nm-Prozess nutzen und den Anteil im dritten Quartal auf 30 Prozent steigern, wenn praktisch alle Produktionslinien auf 30 bzw. 40 nm umgestellt werden. Bei Rexchip soll die 30-nm-Produktion im dritten Quartal beginnen und nach anfangs 50 Prozent der Kapazität im vierten Quartal möglicher Weise bereits 100 Prozent ausmachen.