Infineon mit umweltfreundlichen Arbeitsspeichern

Thomas Hübner
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Infineon hat die Verfügbarkeit von umweltfreundlichen DRAM Komponenten und Modulen angekündigt. Mit dem Produktionsstart des neuen 110-nm-Prozesses bietet Infineon jetzt blei- und halogenfreie DRAM-Komponenten und leitet die Fertigung bleifreier und halogenfreier Speichermodule ein.

In der Elektronikindustrie bezeichnet der Begriff “grün“ ein Produkt, das so gut wie keine Stoffe enthält, die für den menschlichen Körper schädlich sein könnten - beispielsweise blei- und halogenhaltige Substanzen. In der Regel ist Blei in der Leadmetallisierung, in Lötkugeln und in Lötpaste enthalten. Halogenhaltige Substanzen werden bei der Leiterplatten-Montage verwendet und sind in der Komponenten-Formmasse vorhanden. Entsprechend den Industriestandard-Spezifikationen bezeichnet “bleifrei“ einen Bleigehalt von weniger als 0,1 Prozent (1.000 ppm) in DRAMs und Modulen. Halogenfrei ist mit einem Chlor- und Brom-Gehalt von weniger als 0,09 Prozent (900 ppm) definiert. Der Verzicht von Blei in Komponenten stellt den ersten Schritt zur Umweltfreundlichkeit dar. Halogenfreies Packaging ist ein weiterer Schritt hin zu “grüner“ Technologie durch Eliminierung verschiedener weiterer potenziell gefährlicher chemischer Stoffe in chip-basierten Geräten, zu denen Brom, Chlor und Antimonoxid zählen.

Die EU-Richtlinie zur Entsorgung gebrauchter elektrotechnischer und elektronischer Geräte (WEEE - Waste of Electrical and Electronic Equipment) schreibt ab Januar 2007 das Recycling von Produkten vor, die innerhalb der EU-Staaten verkauft werden. Die Richtlinie bezieht sich auf ein breites Spektrum gängiger Elektronik-Hardware. Deshalb müssen die EU-Staaten in den kommenden Jahren Recycling-Prozesse definieren und einführen. Der Verzicht auf Blei und Halogene wird den Recycling-Prozess einfacher und kostengünstiger machen. Darüber hinaus gibt es noch die Richtlinie zur Beschränkung der Verwendung gefährlicher Stoffe (ROHS - Restriction of Hazardous Substance), die die Nutzung von Blei und bestimmter anderer gefährlicher Materialien ab Juli 2006 verbietet. Mit der Einführung umweltfreundlicher Produkte unterstützt Infineon die erfolgreiche Umsetzung dieser Richtlinien durch alle Beteiligten.

Komponenten im TSOP-Gehäuse von Infineon, die auf dem 110-nm-Prozess basieren, werden sowohl bleifrei als auch halogenfrei sein. Dazu zählen die DDR-Bausteine im TSOP-Gehäuse mit 256 Mbit, 512 Mbit und 1 Gbit und auch Specialty Memory wie Grafikspeicher, MobileRAM und CellularRAM. Ungepufferte Module auf der Basis der “grünen“ DDR-TSOP- Komponenten mit 256 Mbit sind ab sofort verfügbar, die anderen Bausteine werden noch im Laufe dieses Jahres auf den Markt kommen. Infineon plant die Einführung verschiedener Typen von DRAM-Modulen (ungepuffert, registriert, SO-DIMMs), die auf diesen umweltfreundlichen Technologien basieren. FBGA-Gehäuse für DDR und DDR2, sowie die darauf basierenden Memory-Module, werden ab Mitte 2004 schrittweise auf “grüne“ Technologie umgestellt.