Spansion (AMD) will Speicherproduktion verachtfachen

FASL LLC, ein Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, plant den weiteren Ausbau seiner Fertigungskapazitäten für Spansion Flash-Speicherbausteine. Das Unternehmen verfolgt damit seine langfristige Strategie, um der Nachfrage nach solchen Speichern für Wireless-Anwendungen gerecht zu werden.

So soll die Fertigungskapazität für 128-MBit-Flash-Speicherbausteine mit Strukturen von 110 nm bis zum Jahresende 2004 planmäßig auf 80% des derzeitigen Ausstoßes der beiden Flash-Speicher Fabs FAB 25 und JV3 erhöht werden. 110 nm / 128-MBit-Flash-Speicherbausteine sollen dann über 60% des Produktionsausstoßes aller Fabs ausmachen.

Die 110-nm-MirrorBit-Technologie wurde als Erweiterung des Spansion Flash-Speicherportfolios entwickelt und dient zur Herstellung eines für 1,8 V ausgelegten 256-MBit-Speicherbausteins für Wireless-Anwendungen. Zu den geplanten Produktmerkmalen gehören ein Burst-Mode von über 80 MHz, kurze Zugriffszeiten und ein niedriger Energieverbrauch. Erste Muster dieses Bausteins mit der Bezeichnung Spansion S29WS256N sind bereits In-House verfügbar. Die offizielle Bemusterung soll planmäßig in der ersten Jahreshälfte 2004 beginnen.

"Die weitsichtige Entscheidung, mit der wir bereits 2001 den Umbau der ehemaligen Logik-Produktionsstätte Fab 25 in eine dedizierte Fab zur Herstellung von Flash-Speicherbausteinen beschlossen haben, erweist sich als richtig und wird durch die geplante Steigerung der Produktionskapazität bestätigt. Angefangen bei 170-nm-Bausteinen im Jahr 2002 produzieren wir heute in der Fab 25 Bausteine in 130-nm-Technologie und im Jahr 2004 Flash-Speicherchips mit Strukturen von 110 nm, [...]" so Bertrand Cambou, FASL LLCs CEO und President.

Fab 25 liegt mit der Herstellung von Flash Produktion genau im Plan, bis 2004 einen um 30 Prozent höheren Wafer-Ausstoß bei über 40% niedrigeren Wafer-Kosten zu liefern. Bis zum Jahresende 2004 soll die Fab 25 gegenüber dem zurückliegenden Quartal acht Mal mehr Flash-Speicher mit 128 MBit und mit Strukturen von 110 und 130 nm produzieren.