Samsung kündigt 1 GB FB-DIMMs an

Samsung hat jetzt ein Fully-Buffered-DIMM (Dual In-line Memory Module) in DDR2-Technologie angekündigt, das über eine Kapazität von 1 GB verfügt und die nächste Generation an Speichermodulen repräsentiert.

Fully-Buffered-DIMM (FB-DIMM) ist eine neue Technologie für Speichermodule, die gegenüber herkömmlichen Registered-DIMMs eine höhere Speicher-Performance erzielt und den Aufbau von Speichermodulen mit deutlich höheren Kapazitäten ermöglicht. FB-DIMMs arbeiten mit einer höheren Bandbreite als Registered-DIMMs und ermöglichen beim Einsatz in Servern und Workstations die Übertragung von Daten mit hoher Geschwindigkeit.

Gegenüber bisherigen DDR- und DDR2-Speichermodulen, die parallel an den Speicher-Bus angebunden sind, nutzen FB-DIMMs eine Punkt-zu-Punkt-Verbindung zwischen Speicher-Controller und dem ersten sowie den folgenden Speichermodulen. Diese serielle Verbindung stellt sicher, dass sich der Speicher eines Systems auch bei erhöhter Memory-Taktfrequenz maximal erweitern lässt und keinesfalls verringert werden muss.

Auf jedem FB-DIMM befindet sich ein Memory-Puffer-Chip, der für die Verteilung der Daten zwischen den einzelnen Speicherbausteinen auf dem DIMM sorgt. Der Memory-Puffer unterstützt schnelle und langsame Schnittstellen und kann sechs Mal höhere Bandbreiten (3,2 bis 4,8 GBit/s) als DRAMs erzeugen.

Mit der Massenproduktion von FB-DIMMs wird Samsung bereits in der ersten Jahreshälfte 2005 beginnen, um die Nachfrage nach dieser Spitzentechnologie möglichst schnell abzudecken. Auf dem diesjährigen Intel Developer Forum Fall konnte neben Samsung auch Infineon erste Muster präsentieren. FB-DIMM wird zuerst im Server- und Workstationsbereich eingesetzt werden.