2-Gbit-Chips in 60 nm bei Samsung noch 2007

Während sich die Speicherpreise wieder auf dem Sinkflug befinden, legen die Halbleiterhersteller den Grundstein für größere Speicherkapazitäten. So hat Samsung heute bekannt gegeben, einen 60-nm-DDR2-Speicherbaustein mit einer Kapazität von 2 Gigabit entwickelt zu haben.

Die neuen Chips können im Vergleich zu ihren in 80 nm gefertigten Kollegen gleicher Kapazität mit einer von DDR2-667 auf DDR2-800 gesteigerten Übertragungsgeschwindigkeit aufwarten – ein Plus von 20 Prozent. Darüber hinaus wurde nach Samsungs Angaben die Produktionseffizienz um 40 Prozent gesteigert. Diese Zahl kommt durch die bessere Ausnutzung der Waferfläche und die geringe Größe der Speicherchips zustande, mit der die Wahrscheinlichkeit von Defekten (bei konstanter Defektdichte exponentiell) sinkt.

Die neuen DRAMs ermöglichen bis zu 8 Gigabyte große DDR2-Speicherregel für Server, Workstations und 4 Gigabyte Module für Notebooks oder dem PC zu Hause. Bisher waren diese Größen nur durch das Stapeln mehrerer Chips (Stacks) möglich. Teilweise kamen hier 36 Chips (davon 4 für Error Correction) oder gar 72 Stück zum Einsatz, oder aber es wurden mehrere Dies geeignet zu größeren Chips verpackt. Mit den neuen Speicherbausteinen reduziert sich die Anzahl der Komponenten und der Stromverbrauch sinkt dadurch bei gleicher Speicherbestückung um ca. 30 Prozent.

Samsung wird mit den neuen 2 Gigabit DDR2 DRAMs das eigene Portfolio an Speichermodulen um 8 GB FB-DIMMs (Fully Buffered DIMMs), 8 GB RDIMMs (Registered DIMMs), und 4 GB große Riegel für den Heimgebrauch und Notebooks (UDIMMS, SODIMMS) erweitern. Es ist geplant, die Massenproduktion zum Jahresende aufzunehmen. Bereits jetzt werden bei Samsung 1 Gigabit- und 512 Megabit-Chips in 60 nm produziert.