Zwölf Mal DDR333/400-Speicher im Test: Der Sinn oder Unsinn hinter DDR333

Samsung DDR400

Das letzte Speichermodul in unserem Vergleichstest stammt von Samsung und ist neben dem Modul von OCZ bereits für einen Speichertakt von 200 MHz ausgelegt. Schon seit längerer Zeit gehört Samsung zu einer festen Größe im Speichermarkt. Auch unsere Rambus-Testplattformen sind mit Speicher von Samsung bestückt. Im Gegensatz zur Konkurrenz hat man bei dem Samsung DDR400 auf Speicherkühler verzichtet.

Die Module erreichten uns gut geschützt in einer gepolsterten Verpackung, in der jedes Modul ein eigenes Schubfach für sich in Beschlag nehmen kann. Wie man bereits auf den ersten Blick erkennen kann, handelt es sich um Double Sided Speicher. Doch reden wir nicht lange um den heißen Brei herum und kommen gleich zu den ausgelesenen SPD-Werten.

Eintrag	Wert
No. Module Rows:	2
Address Row/Columns:	12 / 10 bits
Cycle Time High CAS:	5.0ns -> 200MHz
Access Time High CAS:	0.60ns
Min. Row Precharge:	20ns
Min. RowA to RowA:	12ns
Min. RAS to CAS Delay:	20ns
Min. RAS Pulse Width:	45ns
Manufacturer Code:	CE
Part No.:	M3 68L3313DTL-CB4

• Samsung M3 68L3313DTL-CB4 289A1600 256MB 16x(16Mx8) DDR-SDRAM PC3200U-244-600 (CL2 upto 200MHz)

Nach dem Ausrutscher beim OCZ-Speicher können wir auch beim uns vorliegenden Samsung-Modul Entwarnung geben. Alle wichtigen Werte sind vorhanden. Interessanter Weise fallen die Angaben der Mindestangaben für Row Precharge, RAS to CAS Delay sowie RAS Pulse Width leicht höher als bei der Konkurrenz aus, obwohl der Speicher eigentlich für höhere Taktraten ausgelegt wurde. Samsung ist übrigens überaus optimistisch und will selbst bei 200 MHz noch CAS2.0 garantierten. Ob das wirklich zu schaffen ist? Lassen wir unsere Testergebnisse sprechen.

Der Speicher von Samsung beginnt auch gut, allerdings sind bereits zu Anfang nicht die schärfsten Timings stabil möglich. Dafür sind mit diesen Timings aber gleich hohe Taktraten bis 180 MHz möglich. Eine kleine Timing-Änderung erlaubt das sinnvolle Maximum mit unserem Asus A7V333.

Bei unserem Pentium 4 System startete der Samsung Speicher etwas schlechter ins Rennen: Active Precarge musste auf 6 angehoben werden. Mit diesen Timings konnten wir allerdings konstant bis 181 MHz stabil fahren. Bis 191 MHz war CAS Latency 2.0 stabil möglich. Die gewünschten 200 MHz konnten wir nur mit langsamen Timings erreichen. Samsung hat hier wohl etwas zu viel in den SPD-Einträgen versprochen.