Samsung nimmt die Fertigung von 576Mb-RDRAM auf

Samsung hat heute mit der Serienfertigung von 576-Mbit-RDRAM begonnen, die eine Übertragungsrate von bis zu 1200 Mbits/s erreichen. Module mit 576Mbit-RDRAM Chips sind mit Speicherkapazitäten von bis zu 1 GByte erhältlich.

Verfügbare Optionen sind beispielsweise 16-Bit-RIMM, 32-Bit-RIMM, SoRIMM, NexMod und 4-Kanal-RIMM. Die mit Hilfe von 0,11-µm-Prozessen gefertigten RDRAMs laufen mit einer Übertragungsrate von 2,4 GByte/s auf einem Kanal und 9,6 GByte/s in einem 4-Kanal-System. Für letztere Variante befindet sich derzeit ein Pentium 4 Chipsatz von SiS, der R659, in der Entwicklung.