Chinesen entwickeln eigenen 22-nm-Transistor

Das Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Science (IMECAS) hat am heutigen Freitag verkündet, dass man einen Transistor in der 22 nm kleinen Struktur entwickelt habe. Dieses sei der erste Schritt, um komplette Schaltungen in dieser kleinen Fertigungstechnik hervorzubringen.

Die staatliche Nachrichtenagentur Xinhua berichtet unter Berufung auf das Institut weiter, dass dabei ebenfalls das bereits von großen Fertigern der westlichen Welt genutzte Verfahren auf Basis von high-K metal gate zum Einsatz kommt. Der seit 2009 erforschte 22-nm-Prozess soll die IT-Entwicklung in China vorantreiben, sodass man, wie bei den Konkurrenzprodukten, „world-class performance and low power“ in einem Paket verspricht.

Wann das Produkt serienreif ist, steht derweil aber noch in den Sternen. Die Chinesen werden im IT-Markt erst nach und nach deutlich aktiver, wollen zur International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) Mitte Februar 2013 jedoch einen Acht-Kern-Prozessor des Typs Godson-3B1500 vorstellen, dessen Basis die 32-nm-Fertigung ist. Das Modell fußt auf 1,14 Milliarden Transistoren und soll mit vergleichsweise geringen 1,35 GHz takten, dafür jedoch auch nur 40 Watt verbrauchen.