Technologiediebstahl: Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung

Volker Rißka
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Technologiediebstahl: Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung
Bild: Samsung

Es klingt wie ein Spionageroman und kommt dem wohl auch ganz nahe: Foxconn plante eine 20-nm-DRAM-Fab in China mit Geheimnissen von Samsung – in 1,5 km Entfernung zum Samsung-Werk. Ein hochrangiger Samsung-Mitarbeiter und Angestellte von Subunternehmen sollten die Informationen beschaffen.

Das Thema Technologiediebstahl oder auch IP Theft kochte in den letzten Jahren wieder ziemlich hoch. Vor allem auch im Bereich der Speichertechnologie war dies zugegen, Micron und UMC lagen jahrelang im Clinch, Micron ging zuletzt sogar soweit, dass man Forschungseinrichtungen lieber aus China nach Singapur verlegt, zu heiß ist das Pflaster dort. Mitarbeiter werden vielfach angesprochen, hohe Geldsummen sind im Spiel. Das Ziel ist stets das gleiche: Etwas über fortschrittliche Chipfertigung in Erfahrung zu bringen, die Chinas Bestreben im Weltmarkt unterstützen können.

Zuletzt hat es nun Samsung erwischt und dabei wohl gleich im großen Stil. Ein ehemaliger hochrangiger Angestellter, der neben seiner Position als Vice President für Samsung auch für SK Hynix gearbeitet hat, soll im Jahr 2018 einen Auftrag gewonnen haben, für Foxconn eine Fabrik in China zu bauen, die DRAM-Chips fertigt. Know-How in dieser Richtung hatte Foxconn jedoch gar keines, doch das sollte beschafft werden – über das Zuliefernetzwerk gepaart mit eigenen Informationen, beschuldigen die Anwälte nun den ehemaligen Mitarbeiter. Der Schaden ist beachtlich, über 200 Millionen US-Dollar soll er betragen.

Am Ende scheiterte das Vorhaben, Foxconn zog sich von dem Vorhaben zurück, die Fabrik wurde nie gebaut. Der Hauptbeschuldigte versucht sich in dieser Woche in einem offenen Brief zu rechtfertigen, erklärte dabei, es sollte um eine R&D-Fabrik für DRAM gehen, Samsung sei am Ort aber nur ein Campus für NAND. Wenngleich Reuters hier unter Berufung auf Experten erklärt, dass NAND und DRAM sehr unterschiedlich sind, was auch richtig ist, sind viele Grundlagen doch identisch, nicht umsonst stellen die Fertiger ihre Produktionslinien kurzerhand je nach Bedarf oft zwischen beiden Technologien um. Die Beschuldigten werden nicht nur der Spionage in dieser Richtung beschuldigt, sondern auch um Reinraumdesigns, ganze Blueprints der Samsung-Fabs.

Am 12. Juli soll das Verfahren in Südkorea eröffnet werden. Die Regierung und Staatsanwaltschaft fährt hier zuletzt einen harten Kurs, in den letzten vier Monaten wurden 77 Personen in 35 ähnlichen Fällen festgenommen. Südkoreas Präsident Yoon Suk Yeol bezeichnete Anfang Juni die Vorgänge in der Industrie als „all-out war“.