30 nm SLC-OneNAND-Chips von Samsung

Der Elektronikriese Samsung baut das eigene Flash-Portfolio weiter aus und ergänzt das bisherige Angebot um einen in 30-nm-Strukturen gefertigten OneNAND-Chip im leistungsstarken und zuverlässigen Single-Level-Cell-Design, der eine Kapazität von 8 Gigabit bietet und vor allem in Smartphones zum Einsatz kommen soll.

Mit OneNAND kombiniert Samsung seit einigen Jahren die Eigenschaften von NOR- und NAND-Flash auf einem Speicherbaustein. Dabei kommen ein NOR-Flash-Interface in Kombination mit NAND-Speicher und -Controller sowie einem internen SRAM-Cache zum Einsatz. NOR-Speicher bietet im Vergleich zu NAND eine deutlich höhere Lesegeschwindigkeit, während letzterer beim Schreiben und Löschen schneller ist und zudem Vorteile bei Speicherdichte und Kosten aufweisen kann. Mit Hilfe des SRAM-Caches und einem Prefetch-Mechanismus wird der Leistungsnachteil des NANDs beim Lesen ausgeglichen. Auf diese Weise soll der Speicherchip beim Lesen bis zu 70 MB/s schaffen, was verglichen mit den 17 MB/s bei gewöhnlichem NAND einen deutlichen Leistungssprung bedeutet.

Aktuell läuft noch die Testproduktion, die Massenfertigung der neuen Speicherchips soll jedoch bereits Ende des Monats beginnen. Gegenüber der 40-nm-Produktion soll die Produktivität durch die feineren Strukturen um 40 Prozent steigen.