Micron stellt DDR3Lm-DRAM für Tablets und Co. vor

Um die Batterielaufzeiten von Mobilgeräten zu verlängern, gilt es vor allem jede Möglichkeit zu nutzen, um Strom zu sparen. Zwar gibt es beispielsweise bereits DRAM mit geringerer Leistungsaufnahme, doch auch dieses bietet noch Potenzial für Einsparungen, wie man am Beispiel des neuesten Produktes von Micron sehen kann.

Ansatzpunkt für das sogenannte DDR3Lm-DRAM ist die Leistung, die für den regelmäßigen Refresh des Speicherinhalts benötigt wird. Gegenüber herkömmlichen DDR3L-DRAMs soll die Self Refresh Power bei den neuen Speicherchips um bis zu 50 Prozent gesenkt worden sein. Die 2 und 4 Gbit großen, in einem Prozess der 30-Nanometer-Klasse gefertigten Speicherchips arbeiten mit einer Spannung von 1,35 Volt und erreichen effektive Taktraten von bis zu 1.600 beziehungsweise 1.866 Megahertz. Derzeit fertigt Micron Muster der DRAM-Chips, die Massenproduktion wird vermutlich im zweiten Quartal beginnen.