LPDDR5 und UFS 3.1: Samsungs Kombi-Speicher für Smartphones wird schneller

Hatte Micron letztes Jahr schon vorgelegt, bietet auch Samsung jetzt ein UFS-basiertes Multi-Chip-Modul an, das flüchtigen LPDDR5-Arbeitsspeicher mit nicht flüchtigem NAND-Flash vereint. In einem solchen Speicherbaustein für Smartphones stecken bei Samsung ebenfalls bis zu 12 GB LPDDR5, beim NAND-Flash bietet Samsung aber mehr.

Micron war bei uMCP5 Erster

Im Oktober 2020 hatte Micron bereits das branchenweit erste UFS-basierte Multi-Chip-Modul mit LPDDR5 (uMCP5) auf den Markt gebracht. In verschiedenen Ausführungen wurden 128 GB oder 256 GB NAND-Flash (UFS 3.1) mit 8 GB oder 12 GB LPDDR5 kombiniert.

Daher ist Samsungs Aussage „Industry’s first LPDDR5 uMCP“ in der heutigen Pressemitteilung eigentlich glatt gelogen.

Samsung erhöht auf 512 GB UFS 3.1

Jetzt folgt Samsung mit seinem „LPDDR5 UFS-based multichip package“, das 6 GB bis 12 GB LPDDR5-RAM und beim NAND-Flash 128 GB bis 512 GB bietet. In maximaler Ausführung steht also doppelt soviel Massenspeicher wie bei Microns Lösung zur Verfügung.

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Samsung sucht bei der Ankündigung aber nicht den Vergleich mit Micron, sondern mit vorherigen Lösungen älterer Standards. So soll der DRAM-Durchsatz von 17 GB/s (LPDDR4X) auf 25 GB/s (LPDDR5) und somit um rund 50 Prozent steigen. Eine Verdoppelung der Spitzenleistung von 1,5 GB/s (UFS 2.2) auf 3 GB/s (UFS 3.1) nennt Samsung wiederum beim NAND-Flash.

Ab diesem Monat in ersten Smartphones

Der Kombi-Speicherbaustein misst 11,5 × 13 mm in der Fläche und spart gegenüber zwei separaten Lösungen vor allem Platz. Als Einsatzgebiete stehen 5G-Smartphones der Mittel- und High-End-Klasse auf dem Plan. Samsung erwartet, dass noch im Laufe des Monats die ersten mit dem uMCP5 ausgestatteten Geräte die Mainstream-Märkte erreichen. Konkrete Produkte nennt Samsung allerdings nicht und verweist lediglich darauf, dass die Kompatibilitätstests auch „mit mehreren globalen Smartphone-Herstellern“ erfolgreich abgeschlossen wurden.