DDR5-Arbeitsspeicher: Samsung produziert 1a-Chips mit EUV in Großserie

Volker Rißka
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DDR5-Arbeitsspeicher: Samsung produziert 1a-Chips mit EUV in Großserie
Bild: Samsung

Samsungs EUV-Fertigung ist so weit gereift, dass auch für neuen DDR5-RAM fünf Layer mit dieser Technik belichtet werden. Die Chips setzen dabei auf eine 14-nm-Fertigung, oder wie es in der DRAM-Branche auf den Roadmaps heißt: 1a.

1a ist der aktuelle logische Schritt in der Abfolge der DRAM-Fertigungsstufen. Die letzten Jahre waren geprägt von DRAM-Chips in 1x, 1y und 1z, nun folgt 1a, was hier und da auch 1α (1-Alpha) genannt wird. Auf 1a folgen dann im Übrigen 1b und 1c, bevor ab Mitte dieses Jahrzehnts die ersten Anstrengungen für die nächsten Stufen 0a, 0b und 0c genommen werden. ASML hatte kürzlich eine passende Roadmap dazu dargelegt, die bis in das Jahr 2030 reicht.

ASML liefert Geräte für alle Fertigungsstufen
ASML liefert Geräte für alle Fertigungsstufen (Bild: ASML)

Direkte Vergleiche mit der Logik-Nanometer-Roadmap sind stets schwierig gewesen, da in dieser analog zu CPUs ja ebenfalls keine echten Nanometer-Angaben vorliegen, sondern Marketing-Begriffe genutzt werden: je kleiner desto besser. Samsung wagt nun aber erstmals groß in der Presseaussendung den Wechsel zu einer Angabe in Nanometern: 1a entspricht nun 14 nm in der DRAM-Sprache, gefertigt zu einem großen Teil mit EUV-Belichtung.

EUV bringt Samsung erneut groß zur Sprache. Im Logik-Bereich ziemlich weit hinter TSMC zurück, punktet der Hersteller im DRAM-Geschäft jedoch mit den Erfahrungen aus anderen Bereichen und liegt hier ziemlich weit vorn, wenn nicht sogar in Führung. Lediglich SK Hynix mischt ein wenig mit, ohne jedoch viele Erfahrungswerte. Micron wird erst in zwei Jahren voll auf EUV umschwenken. Dass es die Boni nämlich am Ende auch bei DRAM geben wird, ist unbestritten, Samsung nennt einen Vorteil von 20 Prozent allein bei der Energieaufnahme der Chips, weitere 20 Prozent dank gesteigerte Packdichte für die gesamte Produktivität.

Samsungs Chips in dieser Stufe sind zu Beginn wie üblich 16 Gigabit groß, was 2 GByte entspricht, und auf Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gbps ausgelegt, was am Ende DDR5-7200 bewerkstelligen kann. Der Beginn der Serienfertigung hat jedoch vergleichsweise lange gedauert: Bereits vor 1,5 Jahren hatte Samsung die Pilotlinie eröffnet und Samples verschickt. Für die nahe Zukunft plant der Hersteller nach wie vor mit 24-Gigabit-Chips im gleichen Fertigungsprozess, um den Anfragen im Server-Segment nach mehr Speicher gerecht werden zu können.