Samsung: Entwicklung von GDDR7 mit 32 Gbps abgeschlossen

Volker Rißka
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Samsung: Entwicklung von GDDR7 mit 32 Gbps abgeschlossen
Bild: Samsung

Schon lange hinter den Kulissen vorbereitet, startet die nächste Speichergeneration jetzt offiziell: GDDR7 ist als nächster Grafikspeicher vorgesehen. Samsung will ihn mit 32 Gbps anbieten und verspricht gegenüber aktuell genutztem GDDR6-Speicher eine deutlich erhöhte Bandbreite, aber auch Energieeinsparungen.

Seit zwei Jahren ist GDDR7 bei Samsung bereits auf der offiziellen Bühne ein Thema, hinter den Kulissen dürften es noch einige mehr sein. Nachdem Micron vor drei Wochen den Start für das erste Halbjahr 2024 ankündigte, wollte es Samsung sich nicht nehmen lassen und stellt heute die ersten Chips offiziell vor. Der Produktionsstart beginnt jedoch erst später, denn heute erfolgt erst einmal nur der Abschluss der Entwicklungsphase; es folgt die Validierung bei den Partnern. Vor 2024 ist eine Markteinführung auf Produkten deshalb nicht realistisch – Samsung wollte am Ende nur erster sein.

Start mit 32 Gbps, 36 Gbps dürften schnell folgen

Die ersten Spezifikationen der neuen 16 Gbit großen GDDR7-Chips überraschen am Ende nicht mehr. Mit 32 Gbps siedeln sie sich deutlich über den aktuell möglichen 24 Gbps von GDDR6-Lösungen an. Samsung verspricht dementsprechend 40 Prozent mehr Bandbreite, die daraus resultierend theoretisch möglich wird. Geht es lediglich um die Bandbreite, hat Samsung auch den gestapelten GDDR6W im Programm. Dieser soll die Speicherkapazität und Speicherbandbreite gegenüber GDDR6 verdoppeln, fährt jedoch eher auf einem Parallelgleis als in direkter Konkurrenz zu GDDR7 zu stehen. Bei GDDR7 dürfte es zügig noch höher hinausgehen, bereits Anfang Oktober 2022 hatte Samsung auf dem eigenen Tech Day GDDR7-Speicher mit 36 Gbps angekündigt.

GDDR7 von Samsung
GDDR7 von Samsung (Bild: Samsung)

Neu bei GDDR7 ist wie erwartet der Wechsel in der Signalübertragung auf die dreistufige Pulsamplitudenmodulation (PAM-3) von der zuvor genutzten NRZ-Technik (Non-Return-to-Zero). Bei NRZ wird lediglich ein Bit (1 oder 0) pro Taktzyklus übertragen. Bei PAM-3 sind es 3 Bit mit 2 Takten. Das soll zu Energieeinsparungen führen, doch anstelle der zuvor genannten 25 Prozent sind es in der aktuellen Ankündigung nur noch 20 Prozent. Was davon am Ende auf einer kompletten Grafikkarte samt Speicher übrig bleibt, steht auf einem anderen Blatt.

Um den schnellen Speicher auch in kleinen und stromsparenden Umgebungen unterbringen zu können, plant Samsung auch eine Low-Voltage-Variante. Zudem wurde das Package verändert, angepasste Materialien neben dem optimierten Design sollen etwaigen thermischen Problemen entgegenwirken.

To minimize heat generation, an epoxy molding compound (EMC) with high thermal conductivity is used for the packaging material in addition to IC architecture optimization. These improvements dramatically reduce thermal resistance by 70-percent in comparison to GDDR6, aiding in stable product performance even in conditions with high-speed operations.

Samsung