News Microns Phase Change Memory für Mobilgeräte verfügbar

[MichaG]

Wie der US-amerikanische Speicherriese Micron verkündet, bietet er als erstes Unternehmen in 45 nm gefertigten Phase Change Memory (PCM, auch PRAM genannt) in Massenproduktion an. Entsprechende Speicherprodukte sollen für den Einsatz in Mobilgeräten verfügbar sein.

Zur News: Microns Phase Change Memory für Mobilgeräte verfügbar

 

[Ramuh]

Das Produktfoto ist ja ganzschön fesch

 

[GlockMane88]

Ja direkt zum anbeißen

 

[Voyager10]

In der News wurde nicht erwähnt das der Einsatzzweck bei Billig Handy liegen soll und die Speicherkapazität gerade mal bei 128MByte liegt , was äusserst gering ist. Fotos und Musik draufladen geht da garnicht.

 

[FIL11]

In der News wurde nicht erwähnt das der Einsatzzweck bei Billig Handy liegen soll [...]

Ich denke schon, es ist hier ja von den sog. Feature Phones die Rede. Außer ich habe das falsch verstanden.

 

[Flo89]

Steht doch beides in der News:

Einem 1-Gigabit-PCM-Chip [...]

Zunächst sei Microns 45-nm-PCM für den Einsatz in sogenannten Feature Phones vorgesehen, später sollen auch Smartphones und Tablets den Speicher nutzen.

 

[EiRoGGe]

Das Produktfoto ist ja ganzschön fesch

WOW *_* das Foto ist echt gut gemacht

„Foto“ kann man das wohl kaum nennen. ;-)

 

[Shio]

irgendwie hören sich 100.000 schreibzyklen nicht viel an... :S

 

[Flo89]

100.000 Schreibzyklen sind extrem viel (oder anders formuliert ausreichend für Jahrzehnte/Jahrhunderte...).
Angenommen, Du hast ein Handy mit 16 GB Speicher und schreibst jeden Tag 16 GB darauf (tauscht den Inhalt also einmal am Tag, der macht das schon?), dann reichen diese 100.000 Schreibzyklen 273 Jahre.
Schreibst Du jeden Tag 160 GB auf Dein Handy, dann sind es 27 Jahre.

 

[Shio]

ah, so klingt das schon viel besser,
war zu faul zum rechnen

 

[SaschaHa]

100.000 Schreibzyklen sind extrem viel (oder anders formuliert ausreichend für Jahrzehnte/Jahrhunderte...).
Angenommen, Du hast ein Handy mit 16 GB Speicher und schreibst jeden Tag 16 GB darauf (tauscht den Inhalt also einmal am Tag, der macht das schon?), dann reichen diese 100.000 Schreibzyklen 273 Jahre.
Schreibst Du jeden Tag 160 GB auf Dein Handy, dann sind es 27 Jahre.

Es handelt es sich hierbei aber um eine Art Ram, der für jeden noch so kleines Mist genutzt und ständig neu beschrieben wird. Da sind 100.000 Schreibzyklen so gut wie gar nichts
Es muss bedacht werden, dass so gut wie alle Operationen, die auf dem Gerät durchgeführt werden, den Ram durchlaufen. Dabei wird er locker pro Tag 100 mal neu beschrieben, was in gerade einmal etwa 3 Jahren Lebensdauer resultiert. Nicht gerade berauschend. Bei 128 MB Ram dürfte das Ganze noch schneller geschehen. Man ist also wirklich erst ganz am Anfang bei dieser Technologie

 

[bu.llet]

Es handelt es sich hierbei aber nicht um eine Art Ram

Das nicht ist zu viel?

Ich bezweifle dass der RAM - selbst in Smartphones - "locker pro Tag 100 mal" neu beschrieben wird. Das OS hängt fest drin. Wenn großartig was im RAM getan wird dann ist das, beim Programmstart die benötigten Teile reinzuschieben, vielleicht mal ein Bild oder Video darin zwischenspeichern etc. pp.
100 mal neu beschreiben halte ich für extrem unrealistisch. Aber mit einer Quelle lasse ich mich gerne belehren...

 

[c2ash]

@Flo89
10^5 Schreibzyklen ist sehr wenig und nicht sehr gut.
DRAM liegt bei 10^16
FeRAM liegt bei 10^15
Flash liegt bei 10^5 (also auch 100000).

Das Problem bei diesen Speicher mit geringer Anzahl von Schreib- Lesezyklen ist ja gerade, dass man nicht dauernd auf die gleiche Zelle schreiben kann, sonst ist die ziemlich schnell kaputt. Dafür braucht man extra Controller, die Versuche, die Zellen einigermaßen gleichmäßig ausnutzen.
Nicht umsonst gibt es auch unter Linux eine spezielle Formatierungsoption für SSD-Festplatten.
Und solche Speicher sollte man nie komplett vollschreiben, denn sonst bleibt kein Platz zum Auslagern von Dateien, die nicht wieder auf den gleichen Platz geschrieben werden sollen mit Hilfe des Controllers.

Meiner Meinung nach liegt die Zukunft bei MRAM (STTRAM-Ausführung). Der bietet technisch die Besten aussichten.
Zugriffzeit liegt bei 10ns (W/R). Lebensdauer 10^15. Non-Volatile. Die Energie zum Programmieren einer Zelle liegt bei nur 0.02pJ. Bei DRAM liegt die Schreibenergie bei 2pJ. PCRAM benötigt gar 100pJ, also nicht so gut für mobile Geräte geeignet.

Wer sich für mehr Details interessiert sollte sich "After Hard Drives—What Comes Next? (Mark H. Kryder and Chang Soo Kim)" durchlesen.
--> HIER

 

[estros]

100000 Schreibzyklen sollen wenig sein? Ich weiß ja nicht was ihr Nerds mit euren Smartphones den ganzen Tag macht, aber das reicht mehr als Dicke für das Smartphoneleben.

 

[Holt]

c2ash, bei SSDs löst der WearLevel Algorithmus im Controller das Problem, indem er bei der Ausfahl der als nächstes zu beschreibenden Flashpages die Anzahl der P/E Zyklen, die diese schon hinter sich hat, berücksichtigt. Das spezielle Fliesystem von Linux braucht man für SSDs also nicht, sondern allenfalls für Flash, wo kein Controller mit WearLeveling vorhanden ist.

 

[c2ash]

@Holt

In SSD-Festplatten wird Flash-Speicher (NAND) verwendet !!!

 

[Felixxz21]

@c2ash

Du kannst nich sagen dass Flash allgemein 100000 Zyklen hat. MLC-Flash (also der normale Flash der überall drin ist) hat zz. 3000-5000. Es mag vielleicht SLC mit 100K geben, aber der ist viel teurer und nicht in Handys drin.

 

[SaschaHa]

Das nicht ist zu viel?

Ups ja, ich hatte den Satz erst als Rethorische Frage gedacht und ihn dann umformuliert... Ja das "nicht" ist zu viel, ich korrigiere es mal schnell

Jedenfalls: Ja es handelt sich um eine Art Ram, daher sind 100.000 Schreibzyklen meines Erachtens hart an der unteren Grenze.

Es muss ja schließlich bedacht werden, dass die einzelnen Zellen im Ram unterschiedlich oft beschrieben werden, und je voller der Ram ist, desto öfter müssen die noch verbleibenden Zellen genutzt werden. Ohne speziellen Controller oder zumindest etwas Programmiercode könnte das schnell zum Problem werden.

Ob das in der Praxis so sein wird oder nicht, bleibt abzuwarten, aber so sehe ich die Theorie.

 

[Holt]

In SSD-Festplatten wird Flash-Speicher (NAND) verwendet !!!

Das ist mir klar und ich habe auch nichts gegenteiliges behauptet. Du hast doch geschreiben:

Das Problem bei diesen Speicher mit geringer Anzahl von Schreib- Lesezyklen ist ja gerade, dass man nicht dauernd auf die gleiche Zelle schreiben kann, sonst ist die ziemlich schnell kaputt. Dafür braucht man extra Controller, die Versuche, die Zellen einigermaßen gleichmäßig ausnutzen.
Nicht umsonst gibt es auch unter Linux eine spezielle Formatierungsoption für SSD-Festplatten.

Darauf habe ich versucht Dir klar zu machen, dass man diese speziellen Formatiungsoptionen und Filesysteme bei SSDs gar braucht bzw. sie sowieso nutzlos sind, da die Controller das Wearleveling selbst machen und man somit gar keinen Einfluss darauf hat, welche Pages konrekt beschrieben und gelöscht werden.