Samsung SSD 840 Evo im Test

Der Tipp für Heimanwender
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Einleitung

Modellpflege bei Samsung: Nach nicht einmal einem Jahr hat Samsung die SSD 840 mit TLC-Speicher bereits durch ein Nachfolgemodell abgelöst: die SSD 840 Evo. Mit einem überarbeiteten Controller, kompakteren Speicherchips und technischen Neuerungen verspricht sie nicht nur eine höhere Leistung, sondern auch bis zu ein Terabyte Speicherplatz.

Samsung SSD 840 Evo 250 GB
Samsung SSD 840 Evo 250 GB

Samsung SSD 840 Evo im Überblick

Der Zusatz „Evo“ ist bei den neuen Modellen Programm: Der MEX-Controller der Samsung SSD 840 Evo ist im Grunde noch immer der MDX-Controller der SSD 840 und SSD 840 Pro, die drei Cortex-R4-Kerne arbeiten im MEX jedoch mit 400 statt 300 MHz. Zudem unterstützt die neue Version des Samsung-Controllers die SATA Revision 3.1, die beispielsweise Queued TRIM Commands beinhaltet.

Neuerungen finden sich auch bei den im 19-nm-Verfahren gefertigten TLC-Speicherchips der SSD 840 Evo. Ähnlich dem nCache bei der SanDisk Extreme II und der SanDisk Ultra Plus, nutzt auch Samsungs neueste SSD einen Teil des Flash-Speichers als schnellen Schreibpuffer im SLC-Modus, aus dem die Daten in den normalen TLC-Speicher weitergeschoben werden. Der Puffer wirkt sich vor allem bei den kleineren Varianten der Evo mit wenigen NAND-Dies sehr positiv auf die Schreibleistung aus, die 120-GB-Variante erreicht durch ihn fast dreimal so hohe sequenzielle Schreibraten als ohne.

TurboWrite vs. After TurboWrite
Kapazität 120 GB 250 GB 500 GB 750 GB 1 TB
TurboWrite-Puffer 3 GB 6 GB 9 GB 12 GB
seq. Schreiben
TurboWrite
410 MB/s 520 MB/s
seq. Schreiben
After TurboWrite
140 MB/s 270 MB/s 420 MB/s

Abhängig von der Kapazität der SSD stehen für die „TurboWrite“-Funktion 3 bis 12 GB zur Verfügung. Solange der Schreibpuffer noch nicht voll ist, steht die volle Leistung bereit. Ist er voll, wird mit normaler TLC-Leistung weitergeschrieben, bis der Controller ein paar Sekunden Zeit hatte, um die Daten aus dem Puffer in den TLC-Bereich zu schieben. In den allermeisten Endanwenderszenarien sollte der mehrere Gigabyte große Puffer jedoch groß genug sein, damit die SSD nicht auf das niedrigere Leistungsniveau zurückfällt.

Samsung SSD 840 Evo 250 GB
Samsung SSD 840 Evo 250 GB
Samsung SSD 840 Evo 250 GB

Die Lebensdauer der Speicherchips soll trotz kleinerer Strukturen auf dem Niveau der SSD 840 liegen, Samsung spricht auf Basis interner Tests von mindestens 2.500 P/E-Zyklen. Bei den beiden kleinsten Varianten der SSD 840 Evo kommt ein sehr kompaktes PCB zum Einsatz, das nur Platz für zwei NAND-Packages mit jeweils bis zu acht NAND-Dies bietet. Das größere PCB der größeren Varianten bietet hingegen Platz für bis zu acht NAND-Packages.

Samsung SSD 840 Evo Samsung SSD 840 Samsung SSD 840 Pro
Format (Höhe) 2,5 Zoll (7 mm)
Schnittstelle SATA 6 Gb/s (SATA Revision 3.1) SATA 6 Gb/s (SATA Revision 3.0)
Kapazitäten 120 / 250 / 500 / 750 GB/ 1 TB 120 / 250 / 500 GB 128 / 256 / 512 GB
Controller Samsung MEX (400 MHz) Samsung MDX (300 MHz)
NAND-Flash (Fertigung) Toggle DDR 2.0 TLC (19 nm) Toggle DDR 2.0 TLC (21 nm) Toggle DDR 2.0 MLC (21 nm)
Die-Größe 128 Gbit, 8 KB Page Size 64 Gbit, 8 KB Page Size
TurboWrite SLC-Schreib-Puffer 3 GB (120 / 250 GB)
6 GB (500 GB)
9 GB (750 GB)
12 GB ( 1 TB)
Cache 256 MB (120 GB) / 512 MB (250 / 500 GB) / 1 GB (750 GB / 1 TB) LPDDR2-1066 256 MB (120/128 GB) / 512 MB LPDDR2-SDRAM
Leistungsaufnahme Idle (mit DIPM) 45 mW 46 mW 54 mW
Seq. Lesen (max.) 540 MB/s 530 MB/s (120/128 GB)
540 MB/s
Seq. Schreiben (max.) 410 MB/s (120 GB)
520 MB/s (250 GB–1 TB)
130 MB/s (120 GB)
250 MB/s (250 GB)
330 MB/s (500 GB)
390 MB/s (128 GB)
520 MB/s (256/512 GB)
Random Read (max.) 94.000 IOPS (120 GB)
97.000 IOPS (250 GB)
98.000 IOPS (500 GB–1 TB)
86.000 IOPS (120 GB)
96.000 IOPS (250 GB)
98.000 IOPS (500 GB)
97.000 IOPS (128 GB)
100.000 IOPS (256 / 512 GB)
Random Write (max.) 35.000 IOPS (120 GB)
66.000 IOPS (250 GB)
90.000 IOPS (500 GB–1 TB)
32.000 IOPS (120 GB)
62.000 IOPS (250 GB)
70.000 IOPS (500 GB)
90.000 IOPS
Hardware-Verschlüsselung AES 256
Garantie 3 Jahre 5 Jahre
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