14 DDR400 Speichermodule im Test: Intels i865PE bis an seine Grenzen

 20/21
Thomas Hübner
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DDR466

Für viele Module unerreichbar blieb ein Speichertakt von 233 MHz. Besonders überraschend mussten hier viele Overclocking-Module die Segel streichen. Die günstigen Speichermodule haben nun die Oberhand gewonnen.

Vergleich: DDR466 (Best) – Durchsatz
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      4.984
      2.85V-3.0-3-3-5
  • 256MB Kapazität:
    • OCZ PC3200 EL 256MB
      4.973
      2.85V-3.0-2-3-5
    • takeMS DDR400 256MB
      4.957
      2.75V-2.5-3-3-5
    • Infineon DDR400 256MB
      4.935
      2.65V-3.0-3-3-5
    • Kingston ValueRAM DDR400 256MB
      4.934
      2.85V-2.5-3-3-5
    • Crucial DDR400 256MB
      4.932
      2.85V-2.5-3-3-5
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      4.883
      2.65V-3.0-3-4-5

Nur dem OCZ-Speicher ist es gelungen dem Ruf als Overclocking-Riegel einigermaßen gerecht zu werden. Allerdings muss sich der Speicher hier schon quälen lassen: 2,85V waren für einen stabilen Betrieb nötig.

Vergleich: DDR466 (Best) – 3DMark
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      659
      2.85V-3.0-3-3-5
  • 256MB Kapazität:
    • OCZ PC3200 EL 256MB
      656
      2.85V-3.0-2-3-5
    • Crucial DDR400 256MB
      653
      2.85V-2.5-3-3-5
    • Infineon DDR400 256MB
      653
      2.65V-3.0-3-3-5
    • takeMS DDR400 256MB
      651
      2.75V-2.5-3-3-5
    • Kingston ValueRAM DDR400 256MB
      647
      2.85V-2.5-3-3-5
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      643
      2.65V-3.0-3-4-5
Einheit: Punkte

Völlig unbeeindruckt vom Takt zeigten sich nur die Module von Samsung (mit den neuen CCC Chips) und Infineon. Hier ist nicht einmal eine Spannungserhöhung notwenig gewesen. Mit schlechteren Timings (3.0-4-4-8) wollten sich auch die takeMS 256MB Module mit 2,65V Betriebsspannung zufrieden geben.

DDR480/DDR490

Die Kür vollzogen letztendlich Speichermodule von denen man es nun gar nicht erwartet hätte. Es muss nicht immer teuer zugehen, um im Speichertakt hoch hinaus zu kommen.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) – Durchsatz
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      5.225
      DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
  • 256MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      5.065
      DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
    • takeMS DDR400 256MB
      4.957
      DDR480-2.75V-3.0-4-4-8

Zwei Riegelpaare von Samsung und die 256 MB großen Module von takeMS haben Taktraten von 240 MHz bzw. 245 MHz stabil geschafft. Bei diesem Takt sollte man sich jedoch bereits über eine Kühlung der Northbridge kümmern sowie auf einen guten Luftstrom im Gehäuse achten.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) – 3DMark
  • 512 Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      689
      DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
  • 256 Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      671
      DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
    • takeMS DDR400 256MB
      659
      DDR480-2.75V-3.0-4-4-8
Einheit: Punkte

Den Taktwettkampf konnten also die günstigen Module für sich entscheiden, mit schnellen Timings konnten sie dabei jedoch nicht aufwarten. Kaum zu glauben ist hierbei die Spannung mit der Samsung einen Takt von 245 MHz erreichen konnte.