20/21 14 DDR400 Speichermodule im Test : Intels i865PE bis an seine Grenzen

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DDR466

Für viele Module unerreichbar blieb ein Speichertakt von 233 MHz. Besonders überraschend mussten hier viele Overclocking-Module die Segel streichen. Die günstigen Speichermodule haben nun die Oberhand gewonnen.

Vergleich: DDR466 (Best) - Durchsatz
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      4.984
      Hinweis: 2.85V-3.0-3-3-5
  • 256MB Kapazität:
    • OCZ PC3200 EL 256MB
      4.973
      Hinweis: 2.85V-3.0-2-3-5
    • takeMS DDR400 256MB
      4.957
      Hinweis: 2.75V-2.5-3-3-5
    • Infineon DDR400 256MB
      4.935
      Hinweis: 2.65V-3.0-3-3-5
    • Kingston ValueRAM DDR400 256MB
      4.934
      Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
    • Crucial DDR400 256MB
      4.932
      Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      4.883
      Hinweis: 2.65V-3.0-3-4-5

Nur dem OCZ-Speicher ist es gelungen dem Ruf als Overclocking-Riegel einigermaßen gerecht zu werden. Allerdings muss sich der Speicher hier schon quälen lassen: 2,85V waren für einen stabilen Betrieb nötig.

Vergleich: DDR466 (Best) - 3DMark
Angaben in Punkten
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      659
      Hinweis: 2.85V-3.0-3-3-5
  • 256MB Kapazität:
    • OCZ PC3200 EL 256MB
      656
      Hinweis: 2.85V-3.0-2-3-5
    • Crucial DDR400 256MB
      653
      Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
    • Infineon DDR400 256MB
      653
      Hinweis: 2.65V-3.0-3-3-5
    • takeMS DDR400 256MB
      651
      Hinweis: 2.75V-2.5-3-3-5
    • Kingston ValueRAM DDR400 256MB
      647
      Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      643
      Hinweis: 2.65V-3.0-3-4-5

Völlig unbeeindruckt vom Takt zeigten sich nur die Module von Samsung (mit den neuen CCC Chips) und Infineon. Hier ist nicht einmal eine Spannungserhöhung notwenig gewesen. Mit schlechteren Timings (3.0-4-4-8) wollten sich auch die takeMS 256MB Module mit 2,65V Betriebsspannung zufrieden geben.

DDR480/DDR490

Die Kür vollzogen letztendlich Speichermodule von denen man es nun gar nicht erwartet hätte. Es muss nicht immer teuer zugehen, um im Speichertakt hoch hinaus zu kommen.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) - Durchsatz
  • 512MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      5.225
      Hinweis: DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
  • 256MB Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      5.065
      Hinweis: DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
    • takeMS DDR400 256MB
      4.957
      Hinweis: DDR480-2.75V-3.0-4-4-8

Zwei Riegelpaare von Samsung und die 256 MB großen Module von takeMS haben Taktraten von 240 MHz bzw. 245 MHz stabil geschafft. Bei diesem Takt sollte man sich jedoch bereits über eine Kühlung der Northbridge kümmern sowie auf einen guten Luftstrom im Gehäuse achten.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) - 3DMark
Angaben in Punkten
  • 512 Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 512MB
      689
      Hinweis: DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
  • 256 Kapazität:
    • Samsung "CCC" DDR400 256MB
      671
      Hinweis: DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
    • takeMS DDR400 256MB
      659
      Hinweis: DDR480-2.75V-3.0-4-4-8

Den Taktwettkampf konnten also die günstigen Module für sich entscheiden, mit schnellen Timings konnten sie dabei jedoch nicht aufwarten. Kaum zu glauben ist hierbei die Spannung mit der Samsung einen Takt von 245 MHz erreichen konnte.

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