Elektronik Transistorwahl für Gpio Pin zu 5V IR Diode

Uzer1510

Lt. Commander
Registriert
Feb. 2025
Beiträge
1.963
Hmmm vermutlich kennen sich hier viele besser aus in Elektronik als ich :D Bisher nutze ich eine andere Schlatung mit einem 2N2222 die tut auch ok (47 Ohm zum Transistor vom 3,3V GPIO , 100 Ohm 5V+ zur Diode vom ESP32)

Aber ich habe die Schaltung gesehen

Da würde doch mehr Strom an der Diode ankommern? Sendeleistung ist mit 2N2222 ok aber najo ein wenig mehr wäre nett
 

Anhänge

  • 1772838904754.webp
    1772838904754.webp
    72,1 KB · Aufrufe: 52
Der Widerstand zwischen +5V und der Diode bestimmt ja mit großem Anteil den Strom durch die Diode.
Du hast den Spannungsabfall an der Diode, ca. 1,6V.
Den Spannungsabfall an dem 2N2222 mit 0,6-1V oder den Spannungsabfall am Mosfet bestimmt durch Rdson
Rdson hängt davon ab wie hoch die Spannung am Ausgang des ESP ist.
Bei dem TN0702 so um die 5 bis 2,5 Ohm. Bei 5 Ohm wären das bei 100mA 0,5V.

Wenn man als Spannungsabfall für Diode + Transistor 1,6+ 0,6 annimmt = 2,1V.
5V-2,1V = 2,9V die am Strombegrenzungswiderstand abfallen.
Bei 100 Ohm ergeben sich dann 29 mA durch die Diode, bei 33 Ohm 88mA.

Nach den Datem von dem 2N2222 könnte man auch von 100 Ohm auf 33 Ohm gehen.
 
Zurück
Oben