News Medienberichte: Samsungs HBM3e qualifiziert, aber bisher keine Nvidia-Bestellung

Volker

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Na endlich. Go SAMSUNG Go :daumen:

@CB : "Ein Nvidia GB300 benätigt allein acht 12-Hi-Stacks mit je 36 GByte Kapazität" Typo

HBM4 ist doch der neue "Shice", da sollen sie mal aus dem Quark kommen ...
 
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Klingt erstmal nicht schlecht - Samsung hat bestimmt einiges an Fertigungskapazitäten brach liegen und man kann damit den Preis drücken.


Was ich mich dann aber Frage, ist an was die Zertifizierung gescheitert ist.
Wenn das irgendwas ist, das mit einem neuen Stepping oder ähnlichem behoben werden muss, wäre doch alles vorher produzierte für den Müll.
Und die werden ja nicht irgendwie vergessen ein Dokument zu verschicken oder so wenn es um so viel Geld geht
 
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Hannibal Smith schrieb:
Was ich mich dann aber Frage, ist an was die Zertifizierung gescheitert ist.
Wenn das irgendwas ist, das mit einem neuen Stepping oder ähnlichem behoben werden muss, wäre doch alles vorher produzierte für den Müll.
Samsung konnte offensichtlich die von Nvidia geforderten Spezifikationen nicht erfüllen.

IIRC war von zu hohem Verbrauch die Rede.

Hannibal Smith schrieb:
Und die werden ja nicht irgendwie vergessen ein Dokument zu verschicken oder so wenn es um so viel Geld geht
Fehlende Dokumente nachzureichen braucht keine 21 Monate.
 
10'000 Einheiten sind sicher nicht die Anzahl HBM-Stapel. Das würde ich auch nicht als "auf Halde produziert" bezeichnen.

Ich könnte mir vorstellen, dass sich das eher auf Liefereinheiten bezieht. Das können z.B. 100 / 1000 Stück sein oder was auch immer auf ein Tape/Reel/Tray passt. Ich würde auf 100 Stück tippen, was 1 Mio. HBM Stapel wären und eher passend wäre von der Grössenordnung her.
 
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Danke für den Artikel. Ich möchte noch ergänzen, dass Jensen Huang vor ein paar Tagen zu Samsung gesagt hat, dass Samsung auf HBM4 konzentrieren sollte. Denn Rubin steht kurz vor Produktionsstart. Laut koreanischen Tech-Analysten sollte das HBM4-Produkt von Samsung technisch besser sein als das von SK Hynix, weil sowohl die Logic (Base) Die als auch DRAM Die auf feinere Strukturen basieren (4nm bzw. 1c-Produktion). SK-Hynix setzt auf 12nm Logic Die von TSMC sowie 1b DRAM Die. Gleichzeitig soll Micron Probleme mit der Logic Die haben. Es läuft darauf hinaus, dass NVidia HBM4 von SK Hynix und Samsung beziehen wird. Allerdings scheint Micron Fortschritte in LPDDR5 gemacht zu haben, während Samsung GDDR7 als alleiniger Anbieter von NVidia fungiert. Alle Speicheranbieter werden aber viel Geld verdienen, denn es scheint ein Superzyklus für Speicherprodukte anzubahnen. Die Frage ist, wie lange dieser Zyklus dauern wird.
 
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ETI1120 schrieb:
Samsung konnte offensichtlich die von Nvidia geforderten Spezifikationen nicht erfüllen.

IIRC war von zu hohem Verbrauch die Rede.
Ja aber das kann man ja nicht mehr korrigieren wenn man im Vorfeld auf Halde produziert und damit kriegt man die dann auch nicht abgenommen.
 
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Jetzt wo Nvidia bereits HBM4 bekommt, kann Samsung auch endlich HBM3 liefern. Nice
 
Hannibal Smith schrieb:
Ja aber das kann man ja nicht mehr korrigieren wenn man im Vorfeld auf Halde produziert und damit kriegt man die dann auch nicht abgenommen.
Von Nvidia nicht. Vielleicht von anderen.

Außerdem gab es widersprüchliche Meldungen zum Produzieren auf Halde.

Zur Zeit gibt es sehr positive Meldungen zu Samsungs HBM4. Schauen wir Mal, ob sie sich bestätigen.

Außerdem verbreiten die Koreanischen Medien schlechte Nachrichten zum HBM4 von Micron. Aber da werden wir nächste Woche einiges beim Quartals Call von Micron selbst hören. Schauen wir Mal ob es sich nicht alles wieder als FUD herausstellt.
 
Artikel-Update: Ein weiterer Bericht bei Hankyung untermauert Samsungs Erfolg. Demnach hat es 1,5 Jahre gedauert, bis die Qualifizierung von HBM3e erst mit acht und später zwölf Layern nun erfolgreich abgeschlossen werden konnte, inklusive Redesign aufgrund der stets zu hohen Wärmeentwicklung. Für Samsung war es am Ende auch eine Frage des Stolzes, große Umsätze wird das Unternehmen mit HBM3e wohl nicht mehr generieren, denn SK Hynix und Micron von ihren Positionen zu verdrängen, ist nicht absehbar. Der Blick geht letztlich auch bei Samsung deshalb bereits in Richtung HBM4.
 
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Ayo34 schrieb:
Jetzt wo Nvidia bereits HBM4 bekommt, kann Samsung auch endlich HBM3 liefern. Nice
Naja kann sein, dass HBM3e immer noch gefragt wird in anderen Settings bzw. wenn die älteren Modelle weiterproduziert werden
 
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Volker schrieb:
Artikel-Update: Ein weiterer Bericht bei Hankyung untermauert Samsungs Erfolg. Demnach hat es 1,5 Jahre gedauert, bis die Qualifizierung von HBM3e erst mit acht und später zwölf Layern nun erfolgreich abgeschlossen werden konnte, inklusive Redesign aufgrund der stets zu hohen Wärmeentwicklung.
Ja, diesmal gab es nicht eine halbe Stunde später ein Dementi. Es hat nicht nur lange gedauert, es gab eben auch unzählige Falschmeldungen Samsungs HBM3e wäre von Nvidia qualifiziert worden.
Volker schrieb:
Für Samsung war es am Ende auch eine Frage des Stolzes, große Umsätze wird das Unternehmen mit HBM3e wohl nicht mehr generieren,
Das mit dem Umsatz mag stimmen, aber es ist eben nicht nur eine Frage des Stolzes wenn man eine Qualifizierung abschließt.

Einerseits lernen man dabei etwas. Andererseits will Samsung von den Validierungsingenieuren von Nvidia ernst genommen werden. Und dazu muss Samsung zeigen dass sie Fehler aus bügeln können.

Das heißt eine erfolgreiche Qualifizierung für HBM3E erleichtert die Qualifizierung für HBM4
 
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Was lange währt, wird endlich qualifiziert..
Im Ernst, die Schwangerschaftszeit bei großen Walen ist kürzer als das HBM3e bei Samsung jetzt gedauert hat. Man sieht hier auch, daß SK Hynix gerade bei HBM einen echten technologischen Burggraben etablieren konnte, nicht zuletzt aufgrund der speziellen Unterfüllungsmethode (zwischen den DRAM Schichten), die nur mit den speziellen Epoxidharzen funktioniert, auf die SK Hynix Exklusivrechte hat. Dadurch kann SK Hynix das nämlich mit deutlich weniger Hitzeentwicklung bewerkstelligen als Samsung oder auch Micron.
Nvidia wird die Qualifikation von Samsungs HBM3E freuen, denn sie sind sehr ungern so stark von einem Lieferanten abhängig. Bei GDDR7 ist Samsung ja bereits Großlieferant, es war also nicht so, daß Nvidia Samsung außen vor halten wollte.
 
eastcoast_pete schrieb:
Was lange währt, wird endlich qualifiziert.
Was eine eindeutige Warnung sein sollte, die in Korea übliche Hofberichterstattung zu Samsung für bare Münze zu nehmen.

eastcoast_pete schrieb:
Man sieht hier auch, daß SK Hynix gerade bei HBM einen echten technologischen Burggraben etablieren konnte, nicht zuletzt aufgrund der speziellen Unterfüllungsmethode (zwischen den DRAM Schichten), die nur mit den speziellen Epoxidharzen funktioniert, auf die SK Hynix Exklusivrechte hat. Dadurch kann SK Hynix das nämlich mit deutlich weniger Hitzeentwicklung bewerkstelligen als Samsung oder auch Micron.
Schöne Geschichte.

Allerdings ist Micron schon lange qualifiziert und außerdem sind Microbumps bei HBM ein Auslaufmodellt. Es geht mit Volldampf zum Hybrid Bonding wo es kein Underfill gibt.

Hier überschlägt sich @Jukanlosreve gerade mit Tweets über den koreanischen Lieferanten Hanwha Semitech der bei Hybrid Bonding Maschinen Besi ausgestochen haben soll.
eastcoast_pete schrieb:
Nvidia wird die Qualifikation von Samsungs HBM3E freuen, denn sie sind sehr ungern so stark von einem Lieferanten abhängig.
Auch da hört man bei HBM 4 ständig gegenteiliges. Nvidia drückt die Preise, Nvidia akzeptiert die Preise, ...

Klar ist, dass es Nvidia nicht gefällt wenn der Speicher teurer ist die GPU.

Zur Zeit überschlagen sich Meldungen aus Korea Micron sei bei HBM 4 technisch abgehängt. Aber Dissing von Micron ist bei Koreanischen Medien ebenso wie Lobeshynmen auf Samsung Standard bei der Berichterstattung über Halbleiter.
 
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@ETI1120 Daß die Zukunft bei HBM (v.a. HBM4 und folgende) Hybrid Bonding gehört - keine Frage. Allerdings ist derzeit die Produktion bei allen drei großen HBM Herstellern (SK Hynix, Micron und Samsung) immer noch auf Microbumps mit Underfill angewiesen. Dazu kommt, daß Hybrid Bonding der Layer auch deutlich mehr kosten wird, aber das wird wegen der deutlichen Vorteile von Hybrid Bonding wahrscheinlich weniger ins Gewicht fallen. Aber, bis zumindest einer der drei HBM Hersteller Hybrid Bonding in Großserie zum Laufen bringt, bleiben uns Microbumps und Underfills erhalten. Und da hat SK Hynix wegen ihres Epoxidharz-basierten Underfills (MR-MUF), für das sie Exklusivrechte mit dem Hersteller (Namic) haben, zumindest Stand heute deutliche Vorteile, auch in Form von weniger Ausschuss.

Die Berichte über Micron und deren angeblichen Probleme in der Koreanischen Presse - da stimme ich Dir vollständig zu. Wenn's nach diesen Berichten ginge, wäre Micron schon mehrmals Pleite gegangen😜.
 
Volker schrieb:
Für Samsung war es am Ende auch eine Frage des Stolzes
Ja, ich weiß, Kultur und so, aber Stolz hat in so einem harten Business mmn nix verloren.

Ja, jeder MA sollte si arbeiten, dass er am ende des Tages stolz auf seine Arbeit sein kann, aber soviel Geld und HR in etwas altes zu stecken.....

Ich weiß ja nicht.
 
eastcoast_pete schrieb:
@ETI1120 Daß die Zukunft bei HBM (v.a. HBM4 und folgende) Hybrid Bonding gehört - keine Frage. Allerdings ist derzeit die Produktion bei allen drei großen HBM Herstellern (SK Hynix, Micron und Samsung) immer noch auf Microbumps mit Underfill angewiesen.
Wenn ich mir das Anschaue, ist IMO Mal wieder die Betonung falsch, wie Anlaysten ohne technischen Hintergrund die Geschichte erzählen.

Es gibt zwei Prozessvarianten bei HBM. SK Hynix verwendet MR-MUF und Micron und Samsung verwenden TC-NCF.

TC-NCF: Mass Reflow Molded Underfill
MR-MUF: Non Conductive Film Thermo Compression Bonding

Der Prozess von SK Hynix kommt mit kleineren Temperaturen aus was immer von Vorteil ist. IMO ist die eigentliche Herausforderung einen Prozess zu entwickeln, der dafür sorgt dass das Underfill in den bereits zusammengesetzen Stack reinkriecht. IMO ist das bei einem Stack erheblich komplizierter als bei einem Die auf einem Substrat.

Der Hersteller des Underfills ist IMO nur eine Nuance.

eastcoast_pete schrieb:
Dazu kommt, daß Hybrid Bonding der Layer auch deutlich mehr kosten wird, aber das wird wegen der deutlichen Vorteile von Hybrid Bonding wahrscheinlich weniger ins Gewicht fallen.
Die Prozesse für Hybrid Bonding werden ausgereifter. Es gibt mehr Anbieter für solche Maschinen. Die reinen Prozesskosten sind eine Sache. Die andere ist die Ausbeute.

Ich bin noch Mal die Foliensätze zu HBM auf der FMS 2025 durchgegangen. Hier gehen die meisten davon ab, dass Hybrid Bonding erstmals bei HBM4E (im Verlauf von 2027) Einzug hält.

eastcoast_pete schrieb:
Aber, bis zumindest einer der drei HBM Hersteller Hybrid Bonding in Großserie zum Laufen bringt, bleiben uns Microbumps und Underfills erhalten.
Nein. Es gibt zwei Prozesse. Einen mit Underfill einen mit Non Conductive Film.

Micron hat mit TC-NCF die Qualifizierung bei Nvidia schon lange geschafft.

eastcoast_pete schrieb:
Und da hat SK Hynix wegen ihres Epoxidharz-basierten Underfills (MR-MUF), für das sie Exklusivrechte mit dem Hersteller (Namic) haben, zumindest Stand heute deutliche Vorteile, auch in Form von weniger Ausschuss.
Die Firma heißt Namics. Und warum es ausgerecht am Epoxidharz liegen soll erschließt sich mir nicht.

eastcoast_pete schrieb:
Die Berichte über Micron und deren angeblichen Probleme in der Koreanischen Presse - da stimme ich Dir vollständig zu. Wenn's nach diesen Berichten ginge, wäre Micron schon mehrmals Pleite gegangen😜.

Vor allem wenn klar ist, dass die großen XPU- und GPU-Anbieter eigene Logic Dies entwickeln, auf den der Stack aus Memory Dies aufgesetzt wird.

Und wo nun der Vorteil ist wenn Samsung den eigenen 4 nm Process verwendet ist mir nicht wirklich klar.

Alphanerd schrieb:
Ja, ich weiß, Kultur und so, aber Stolz hat in so einem harten Business mmn nix verloren.
Ich würde diese Erklärung von Samsung einfach Mal ignorieren.

Es ist schlicht und einfach notwenig HBM3E zu qualifizieren bevor man sich an die Qualifikation von HBM4 macht. Man geht eine Treppe Stufe um Stufe und genau so ist es bei der Technik. Jede neue Technologiestufe bringt neue Herausforderungen. Wie will man die meistern, wenn man die alten nicht mal meistern konnte.

Die massiven Probleme der Samsung Foundry resultieren zu einem großen Anteil daraus, dass die einzelnen Nodes nicht fertig entwickelt wurden. Fertig entwickelt bedeutet der Node kann mit einer niedrigen Fehlerrate produziert werden.

Deshalb ist es ein gutes Zeichen, dass Samsung die Qualifizierung von HBM3E bei Nvidia zu endbringt.
 
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eastcoast_pete schrieb:
[...]Man sieht hier auch, daß SK Hynix gerade bei HBM einen echten technologischen Burggraben etablieren konnte, nicht zuletzt aufgrund der speziellen Unterfüllungsmethode (zwischen den DRAM Schichten), die nur mit den speziellen Epoxidharzen funktioniert, auf die SK Hynix Exklusivrechte hat. Dadurch kann SK Hynix das nämlich mit deutlich weniger Hitzeentwicklung bewerkstelligen als Samsung oder auch Micron.[...]
Nur kleine Korrektur. Nicht nur SK Hynix, sondern auch Micron haben auf gleiche Bonding-Technologie Zugriff, denn beide nutzen die Bonding-Maschinen von Hanmi Electronics. Darauf hat Hanmi Electronics Patentrecht. Samsung hatte vor Jahren mit Hanmi Electronics Patentstreitigkeiten und der Chef von Hanmi Electronics war mit Samsung nicht gut zu sprechen. Vielleicht nutzt Samsung auch Maschinen von einem japanischen Hersteller. Mit HBM4 werden die Karten aber neu gemischt. Samsung wollte eigentlich hier schon die Hybridbonding-Technologie zum Einsatz bringen. Der Maschinenzulieferer hatte aber noch Probleme, sodass die Technik auf HBM4e verschoben werden muss. Technisch sieht bei HBM4 für Samsung gut aus. Das Hauptproblem wird nun sein, die Ausbeute von 1c DRAM rechtzeitig anzuhieven. Der CEO der DS-Division von Samsung hat kürzlich gesagt, dass die Produktion trotzdem starten wird, auch wenn das Ausbeuteziel noch nicht rechtzeitig erreicht ist. Es wird mit allem versucht, das verlorene Terrain wieder zurückzugewinnen.
 
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Eneloop schrieb:
Nur kleine Korrektur. Nicht nur SK Hynix, sondern auch Micron haben auf gleiche Bonding-Technologie Zugriff, denn beide nutzen die Bonding-Maschinen von Hanmi Electronics. Darauf hat Hanmi Electronics Patentrecht.
Schon was von Besi, EV Group, Applied Materials oder Tokio Electron gehört? Es gibt noch andere Equipment Hersteller für Hybrid bonding. Einige von ihnen haben im Gegensatz zu den New Comern aus Korea schon Maschinen in der Produktion.

Auf was soll Hanmi Electronics Patentrechte haben? Auf Hybrid Bonding als solches definitiv nicht.

Im übrigen hat @eastcoast_pete Cost die aktuellen Prozesse mit Mico Bumps erwähnt. Hybrid Bonding erfordert komplett andere Prozesse.

Eneloop schrieb:
Samsung hatte vor Jahren mit Hanmi Electronics Patentstreitigkeiten und der Chef von Hanmi Electronics war mit Samsung nicht gut zu sprechen. Vielleicht nutzt Samsung auch Maschinen von einem japanischen Hersteller.
Samsung wird keine Probleme haben sich die Maschinen auszusuchen die sie wollen. Equipment von einem New Comer zu holen, hat immer ein größeres Risiko als Maschinen eines Anbieters, zu holen der seit Jahren Hybrid Bonding Equipment liefert.

Eneloop schrieb:
Mit HBM4 werden die Karten aber neu gemischt. Samsung wollte eigentlich hier schon die Hybridbonding-Technologie zum Einsatz bringen.
Wieso? Du sagst doch selbst dass der Umbruch aufgeschoben wird.

Eneloop schrieb:
Der Maschinenzulieferer hatte aber noch Probleme, sodass die Technik auf HBM4e verschoben werden muss. Technisch sieht bei HBM4 für Samsung gut aus.
Warten wir ganz einfach Mal ab wer HBM4 tatsächlich liefern kann.

Eneloop schrieb:
Das Hauptproblem wird nun sein, die Ausbeute von 1c DRAM rechtzeitig anzuhieven. Der CEO der DS-Division von Samsung hat kürzlich gesagt, dass die Produktion trotzdem starten wird, auch wenn das Ausbeuteziel noch nicht rechtzeitig erreicht ist.
Und nun schreibst Du das genaue Gegenteil.
 
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