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NewsV-NAND V7: Samsung setzt für 160 Layer oder mehr auf Double-Stack
Mal ne Frage. Liegt bei umso mehr Layern der Mehraufwand und derr damit verbundene Geschwindigkeitseinbruch nur an aktuell noch zu langsamen Controllern oder ist das eine physikalische Hürde/Folge, welche die Technologie grundsätzlich beschränkt?
@Relict Sie bringen hier etwas durcheinander... Mehr Layer haben nur insofern einen Einfluß auf die Geschwindigkeit, dass man weniger Chips braucht, dadurch Schreiboperationen nicht so gut verteilen kann.
Das Limit bei den Layern liegt im Grunde darin wie dünn man es bekommt bevor elektronen Tunneln (wie bei 2D Chips im Horizontalen...)
Zur Fertigung gibt es mehrere Methoden: Wikipedia - 3D Integration - Fertigung
Bei der Verlangsamung geht es darum wie viele Bits in eine Zelle gespeichert werden können, hierbei wird die SSD langsamer da die Messung der Restspannung in der Kapazität immer genauer sein muss sowie die Fehlerkorrektur immer besser.
Die Anzahl der übereinander liegenden Layer spielt im Grunde keine Rolle. Das dient letztlich nur dazu teure Chipfläche einzusparen.
(Wie viele Chips passen auf einen Wafer.)
Man kann diese Layer entweder in einem gemeinsamen Die aufbauen (so wie z.B. bei Samsungs 3D-NAND Chips)
oder mehrere separate Dies übereinander stapeln, dann muss es aber Durchkontaktierungen geben.
Einen Geschwindigkeitsunterschied gibt es dadurch aber nicht. Man muss nur eine andere Art Transistoren verbauen.
Geschwindigkeitsunterschiede gibt es nur bei der Anzahl zu speichernder Bits pro Zelle.
Je mehr, desto langsamer wird das ganze, weil aufwändiger in Bezug auf Verwaltung und Fehlerkorrektur.
Und was man auch nicht vergessen darf, mehr Bits pro Zelle bedeutet auch eine kürzere Lebensdauer, also weniger Schreibzyklen.
Bei SLC geht man von mehreren 10.000 Zyklen aus, bei MLC sind es nur noch wenige tausend. Bei TLC sinkt die Anzahl schon auf 1.000 und QLC schafft nur deutlich unter 1.000 Zyklen.
Wear Leveling und Überprovisionierung sind dann das Zauberwort, damit die Laufwerke nicht schon nach kurzer Zeit ausfallen.
Und die Laufwerke nutzen tolle Features, damit die Leistung nicht zu stark einbricht, z.B. das ein Teil der Chips im SLC-"Modus" laufen, so dass statt 2 bis x Bits nur noch eines pro Zelle gespeichert wird.
Die Anzahl der übereinander liegenden Layer spielt im Grunde keine Rolle. Das dient letztlich nur dazu teure Chipfläche einzusparen.
(Wie viele Chips passen auf einen Wafer.)
Wobei es bei den gestapelten NAND Dies Augenwischerei ist, da man hier zwei Die herstellt, übereinander packt, durchkontaktiert und dann nur die Grundfläche zählt, wenn es um die Datendichte geht. Man spart nur bei der Logik, die braucht man bei gestackten Dies ja nur einmal. Man spart also Kosten, aber eben nicht so sehr wie bei den nativen Layern und bei den nativen Layern ist Samsung klar an der Spitze und weit vor allen anderen Herstellern, die schon bei 64 Layern auf Stacking zurückgegriffen haben. Außerdem sollte man neben der Datendichte auch noch Eigenschaften wie die Performance (also vor allem die Latenzen) und Zyklenfestigkeit betrachten, wenn man überlegt die fortschrittlich ein Hersteller ist.
KnolleJupp schrieb:
Bei SLC geht man von mehreren 10.000 Zyklen aus, bei MLC sind es nur noch wenige tausend. Bei TLC sinkt die Anzahl schon auf 1.000 und QLC schafft nur deutlich unter 1.000 Zyklen.
