Kein Bedarf an High-NA EUV: Mehrfachbelichtung mit EUV ist bis 2029 TSMCs Zielvorgabe

Zum TSMC 2025 European Technology Symposium hat das Unternehmen einmal mehr betont, noch lange ohne High-NA-EUV auskommen zu können. Der Schlüssel liege in der Mehrfachbelichtung mit klassischem „Low-NA“ EUV. Mit dem Fertigungsprozess wurde so viel Erfahrung gesammelt, dass das noch mindestens vier Jahre funktionieren wird.

Anders als bei Intel

Vor einem Jahr erklärte TSMCs Technologie-Chef Kevin Zhang bereits, dass High-NA als Technikstufe extrem interessant sei und der Konzern sie auch nutzen werde, aktuell sind die Kosten aber noch zu hoch: Auf rund 400 Millionen Euro belaufen sich die Kosten für eines dieser Systeme. Die besten Low-NA-EUV-Systeme haben sich hingegen inzwischen bei der 200-Millionen-Marke eingefunden.

Die NXE:3800E sind aber auch kaum noch mit den Systemen der ersten EUV-Tage vergleichbar, so viel leistungsfähiger sind sie. Und mit dem System ist auch das Ende noch nicht erreicht: Ein NXE:4000 wird vermutlich 2026 von ASML folgen. Und da die Systeme immer alle auf den letzten Stand aufrüstbar sind, profitiert auch TSMC davon.

TSMC: Vor 2029 wohl kein High-NA EUV

Was Kevin Zhang nun in Amsterdam sagte, war letztlich das gleiche wie zuvor in der Ausgabe des Events in den USA: TSMC braucht High-NA noch nicht, vermutlich nicht einmal für den Fertigungsschritt A14. A14 mache in vielen anderen Bereichen so viele Fortschritte, dies wird jedoch laut aktuellem Plan auch ohne High-NA EUV erreicht. Und solange die Ziele hinsichtlich Skalierung und gesteigerter Leistung erreicht werden, wird weiterhin Low-NA EUV genutzt, erklärte Zhang.

Wann High-NA EUV bei TSMC letztlich also zum Einsatz kommt, steht zumindest auf offizieller Bühne in den Sternen. Der nächste Schritt A14P für mehr Leistung könnte sich ab dem Jahr 2029 eventuell anbieten. Aber auch das ist heute nur ein Schuss ins Blaue.

Micron erklärt: Mehrfachbelichtung ist unvermeidlich

Zum Thema Mehrfachbelichtung äußerte sich zuletzt auch Micron in einem Interview bei Semiconductor Engineering. Demnach gehe EUV schlichtweg genau den Weg, der mit vorangegangenen Scanner-Versionen ebenfalls beschritten wurde. Und dort gehörte Multi-Patterning einfach ebenfalls dazu:

Micron has developed a lot of IP around multi-patterning, starting way back with KrF and then pushing out ArF adoption. That whole strategy was about extending immersion and delaying EUV. And we’ll do the same thing with EUV. We’ll extend it with multi-patterning. Right now, to my knowledge, all the nodes in high-volume production using EUV, both memory and logic, are doing single-patterning EUV. But every company in R&D, across both logic and memory, is working on some kind of EUV multi-patterning for their next node. Intel has been very vocal about using high-NA EUV at their 14A node, and that’s because single-patterning EUV won’t get them to spec. High-NA can help with cycle time or fab space constraints, even if it’s more expensive. But for most applications, half-field high-NA is going to struggle to compete with multi-patterned EUV on cost. All the techniques we used to extend immersion — complex OPC, advanced illuminators, computational methods — are now being applied to EUV. Multi-patterning is inevitable.

Micron

Intel pusht High-NA EUV für Einsatz ab 2027

Intel, wie auch von Micron angesprochen, verfolgt einen aggressiveren Weg, wenngleich der Ausgang offen scheint. Zuletzt hieß es, dass High-NA auch hier frühestens 2027 zum Einsatz kommt, Intels zuletzt typischen Verspätungen einberechnet, könnten erste Produkte ab 2028 verfügbar sein.