Grafikspeicher: Auch Samsung wird GDDR6 mit 16 Gbit/s zur CES 2018 zeigen

Eric Hoh et al. 41 Kommentare
Grafikspeicher: Auch Samsung wird GDDR6 mit 16 Gbit/s zur CES 2018 zeigen

Die von Samsung publizierte Liste der im Januar zu erwartenden CES 2018 Innovation Awards hat nicht nur das neue High-End-SoC Exynos 9810 publik gemacht. Der Konzern hat auch die Präsentation erster GDDR6-Speicherbausteine mit 16 Gbit/s bei 2 GB pro Chip in Aussicht gestellt. Auch die Konkurrenz dürfte zur Messe liefern.

GDDR6 mit 16 Gbit/s und 1 oder 2 GB pro Chip

SK Hynix hatte bereits im April 2017 erste 1-GB-Chips nach GDDR6 mit 16 Gbit/s Bandbreite für Anfang 2018 in Aussicht gestellt und einen Monat später ebenfalls von doppelt so großen Bausteinen gesprochen.

Über das wie bei GDDR5 und GDDR5X weiterhin 32 Bit breite Interface pro Chip liefern beide Hersteller 64 GB/s Bandbreite pro Baustein. An einem 256 Bit breiten Speicherinterface mit acht Speicherchips wären damit 16 GB mit 512 GB/s Transferrate möglich, an dem bei High-End-Grafikkarten of 384 Bit breiten Bus wären es sogar 24 GB bei 768 GB/s. Die Grafikkarte mit dem aktuell schnellsten GDDR5X-Speicher, die EVGA GeForce GTX 1080 Ti FTW3 Elite (Test) erreicht über ein 352 Bit breites Interface 528 GB/s, Radeon RX Vega 64 (Test) mit HBM2 bei 945 MHz 484 GB/s.

Dual-Channel- statt Single-Channel-Interface

GDDR6 sieht wie GDDR5X im Vergleich zu GDDR5 eine Verdoppelung der Datenrate vor. Das Prefetching bleibt gegenüber GDDR5 verdoppelt, statt acht werden 16 Datenbits genutzt, pro Zugriff werden damit 64 statt 32 Bit übertragen. Intern wird beim kommenden Speicher ein Dual-Channel-Interface statt des bisherigen einfachen Interfaces genutzt. Das hebt die Bandbreite weiter an.

Mit 16 Gbit/s pro Pin liefert GDDR6 zum Start damit die Datenrate, die bei GDDR5X zwar angedacht war und von Micron weiterhin entwickelt wird, bisher sind 6.000 MHz mit 12 Gbit/s aber das Maximum. Sowohl Samsung als auch Hynix haben laut EE Times wiederum bereits GDDR6 mit 18 Gbit/s in Aussicht gestellt.

Ein weiterer Vorteil von GDDR6 ist die höhere maximale Datendichte pro Chip. Spezifiziert wurden bisher maximal 16 Gbit pro Chip (2-GB-Bausteine), eine Steigerung auf bis zu 32 Gbit (4-GB-Module) ist aber bereits vorgesehen (GDDR5: 8 Gbit/1 GB, GDDR5X: 16 Gbit/2 GB). Optional kann GDDR6 auch im Quad-Data-Rate-Verfahren (QDR) umgesetzt werden.

Der neue Speicher für Nvidia Volta (und AMD Vega 11?)

Zum ersten Mal eingesetzt werden könnte GDDR6 bei Nvidias Volta-Generation, die im Laufe nächsten Jahres erwartet wird. Und auch AMD dürfte im Jahr 2018 auf GDDR6 setzen. In Frage käme als erstes der bisher nicht offiziell angekündigte Vega 11, der als Nachfolger von Polaris 10 gehandelt wird. Hinweise auf den Einsatz von GDDR6 statt HBM2 gab es bereits.