Techinsights: 3D-NAND-Roadmap wagt den Blick bis 2022

Michael Günsch 9 Kommentare
Techinsights: 3D-NAND-Roadmap wagt den Blick bis 2022
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Techinsights hat die bekannten Daten und Prognosen für die Entwicklung von 3D-NAND in einer neuen Roadmap verpackt. Der Blick geht über 96-Layer-NAND im kommenden Jahr bis hin zu über 200 Layern im Jahr 2022. Die Schätzung des Fortschritts ist deutlich konservativer als jene von Experten auf dem Flash Memory Summit.

Die Ende August berichteten Einschätzungen waren bereits von über 500 Layern in knapp fünf Jahren ausgegangen. Die Roadmap von Techinsights lässt eine etwas langsamere Entwicklung vermuten. Dort ist von „2XXL“ also mindestens 200 Layern bei Samsung und Toshiba etwa ab Mitte 2022 die Rede. 256 Layer hatten andere schon für 2021 prognostiziert und für 2022 sogar schon 512 Layer erwogen. Aktuell wird NAND-Flash im 64-Layer Design in Produkten wie SSDs eingesetzt. Die kommende Generation mit 96 Zellschichten ist aber schon bereit und soll spätestens im kommenden Jahr hohe Stückzahlen erreichen.

3D-NAND-Roadmap Q3 2018
3D-NAND-Roadmap Q3 2018 (Bild: Techinsights)

Derzeit wird dem Joint Venture von Toshiba und Western Digital ein kleiner zeitlicher Vorsprung beim 96-Layer-NAND vor dem Marktführer Samsung zugesprochen, was sich auch in der Roadmap widerspiegelt. Mit 1,33 Terabit bietet der BiCS4-Flash mit QLC-Architektur von Toshiba/Western Digital die höchste Speicherkapazität am Markt. Samsungs V-NAND v5 soll dagegen erst mit geringer Kapazität von 256 Gigabit als TLC-Version starten, 1 Terabit wird voraussichtlich erst 2019 als QLC-Variante folgen.

Bei Intel und Micron steht die 96-Layer-Generation als letzte gemeinsame Entwicklung in der Roadmap für 2019 auf dem Plan, was später als erwartet wäre. Bei der vierten Generation 3D-NAND trennen sich die Wege der langjährigen Partner. Micron hat für die vierte Generation eine Abkehr vom Floating-Gate-Design angekündigt: Ein „einzigartiges Design“, das CMOS Under Array (CUA) mit Charge-Trap-Flash-Technik kombiniert und die sogenannte Replacement Gate (RG) Technology zur Herstellung nutzt, soll folgen.

Die Roadmap von Techinsights enthält auch den 96-Layer-3D-NAND von SK Hynix, den der Hersteller „4D NAND“ getauft hat. Zudem ist neuerdings auch die aufstrebende Konkurrenz aus China in Form von YMTC vertreten, die technisch noch weit zurück liegt.

Interessant sind auch die Die-Shots der aktuellen und älteren Generationen von 3D-NAND der verschiedenen Hersteller im Vergleich sowie die Bestückung der populären Smartphone-Generationen von Apple und Samsung.

Aktueller 3D-NAND (Die-Fotos)
Aktueller 3D-NAND (Die-Fotos) (Bild: Techinsights)
3D-NAND in Smartphones von Apple und Samsung
3D-NAND in Smartphones von Apple und Samsung (Bild: Techinsights)