Toshiba & Western Digital: 96‑Layer‑3D‑NAND geht mit Fab-6-Eröffnung in Serie

Michael Günsch 27 Kommentare
Toshiba & Western Digital: 96‑Layer‑3D‑NAND geht mit Fab-6-Eröffnung in Serie
Bild: Toshiba Memory/Western Digital

Toshiba Memory und Western Digital haben nun offiziell die neue Flash-Fabrik Fab 6 im japanischen Yokkaichi eröffnet. Dort wird der neue 3D-NAND mit 96 Layern (BiCS4) hergestellt. Die Massenproduktion von BiCS4 habe bereits zuvor begonnen.

Im Februar 2017 hatten die Bauarbeiten an der Fab 6 begonnen, die Pläne zur neuen Anlage hatte Toshiba bereits im November 2016 bekannt gegeben. Wie bei der Fab 5 sollte die Errichtung in zwei Phasen vonstatten gehen. Der Abschluss der ersten Phase war für den Sommer 2018 eingeplant und ist nun offenkundig vollzogen. Je nach Marktsituation wäre eine weitere Aufstockung der Produktionskapazität in Phase zwei möglich.

Die Produktionsstätte ist nur ein Teil der neuen Anlage, denn parallel wurde ein neues Forschungs- und Entwicklungszentrum gebaut, das schon im März 2018 fertig wurde.

Massenproduktion von 96-Layer-3D-NAND läuft

Die Produktion von 3D-NAND soll noch vor der Eröffnungsfeier in Yokkaichi angelaufen sein. Wie die Partner mitteilen, habe die Massenproduktion des neuen 96-Layer-3D-NAND (BiCS4) schon diesen Monat begonnen. Ob sich darunter bereits die QLC-Speicherchips (4 Bit/Zelle) mit der branchenweit höchsten Speicherkapazität von 1,33 Terabit befinden, ist unklar. Zumindest sollten diese Chips noch in diesem Jahr die Serienfertigung erreichen. Die Generation BiCS4 mit 96 Layern enthält aber auch kleinere Varianten wie TLC-3D-NAND mit 3 Bit pro Zelle und 256 Gigabit.

We are ramping production of 96-layer 3D NAND to address the full range of end market opportunities from consumer and mobile applications to cloud data centers. Fab 6 is a cutting-edge facility that will enable us to further our technology and cost leadership position in the industry.

Steve Milligan, CEO von Western Digital