Samsung UFS 3.0: Smartphone-Speicher mit 2,1 GB/s geht in Serie

Michael Günsch 19 Kommentare
Samsung UFS 3.0: Smartphone-Speicher mit 2,1 GB/s geht in Serie
Bild: Samsung

Bei der Vorstellung von UFS-3.0-Speicherchips waren Toshiba und Western Digital schneller, doch bei der Serienfertigung will Samsung erster sein. Der südkoreanische Elektronikgigant hat den Start der Massenproduktion für den schnellen Mobile-Speicher angekündigt. Zunächst mit bis zu 512 GB sollen bald Chips mit 1 TB folgen.

UFS 3.0 ist die Weiterentwicklung des Speicherstandards Universal Flash Storage (UFS), die höhere Datenübertragungsraten ermöglicht. Pro Leitung wurde der Brutto-Durchsatz gegenüber UFS 2.0/2.1 auf 11,6 Gbit/s (1.450 MB/s) verdoppelt, bei zwei Leitungen (x2) sind sogar 2.900 MB/s brutto möglich. Die praktisch nutzbaren Datenraten fallen durch Bitkodierung und Overhead wie üblich etwas geringer aus.

Samsungs UFS 3.0 liest mit 2.100 MB/s

So wirbt Samsung für seinen Embedded UFS 3.0 (eUFS) mit einer maximalen Transferrate von 2.100 MB/s, was in der Regel für das sequenzielle Lesen gilt. Sequenziell geschrieben werden Daten mit bis zu 410 MB/s, was dem Niveau einer SATA-SSD nahe kommt. Toshiba und Western Digital haben zuvor UFS-3.0-Speicher angekündigt, der dank SLC-Cache mit bis zu 750 MB/s schreiben soll. Die Konkurrenz beginnt aber erst mit der Bemusterung (sampling) des UFS 3.0, während Samsung bereits die Massenfertigung angekündigt hat. Laut Samsung erreichen die UFS-3.0-Bausteine bis zu 63.000 IOPS und 68.000 IOPS beim wahlfreien Lesen und Schreiben – auch dies entspricht der Leistung von SATA-SSDs der unteren bis mittleren Leistungsklasse.

Samsung will zunächst UFS 3.0 in Speicherkapazitäten von 128 GB und 512 GB ab diesem Monat herstellen. Im zweiten Halbjahr 2019 sollen Varianten mit 256 GB und 1 TB folgen. Bei der in den Fokus gerückten 512-GB-Version, für die auch die Leistungsangaben gelten, stapelt Samsung acht NAND-Dies á 64 GB (512 Gigabit) übereinander. Zum Einsatz kommt die fünfte Generation des V-NAND genannten 3D-NAND des Herstellers, die über etwa 96 Ebenen (Layer) an Speicherzellen verfügt. Auch Toshiba und Western Digital setzen auf 96-Layer-NAND bei den ersten UFS-3.0-Produkten. Micron und SK Hynix haben noch keine fertigen Produkte mit UFS 3.0 angekündigt.

Bei Speicherkarten konkurriert UFS mit SD Express

Zunächst wird UFS 3.0 als Embedded Storage in Mobilgeräten wie High-End-Smartphones Einzug halten und direkt auf die Platine gelötet. Ob sich UFS 3.0 bei Speicherkarten durchsetzen wird, bleibt abzuwarten. Hier sieht sich der JEDEC-Standard aufkommender Konkurrenz durch die Standards SD Express respektive microSD Express von der SD Association gegenüber.