RAM für Ryzen 3000: G.Skill bietet DDR4-3800 mit CL14 bei 1,5 Volt ab Werk

Sven Bauduin 118 Kommentare
RAM für Ryzen 3000: G.Skill bietet DDR4-3800 mit CL14 bei 1,5 Volt ab Werk
Bild: G.Skill

Nach der Markteinführung von AMD Ryzen 3000 (Test) präsentierten auch Anbieter von Arbeitsspeicher neue schnelle RAM-Kits, die auf die AM4-Plattform abgestimmt sind, denn Matisse profitiert von der Kombination aus hohem Takt und niedrigen Timings. Von G.Skill gibt es jetzt sogar den ersten DDR4-3800 mit CL14 ab Werk.

Hoher Takt trifft auf niedrige Timings

Mit der Trident-Z-Neo-Reihe hat G.Skill bereits im Juli eine entsprechende Serie an RAM-Kits präsentiert, die ausschließlich für die AM4-Plattform, AMD Ryzen und im Speziellen für die Zen-2-Mikroarchitektur der Matisse-CPUs konzipiert und optimiert wurden. Bisher hatte der RAM-Hersteller 16-GB- und 32-GB-Kits von 2666 bis 3600 MT/s mit einer CAS-Latency von CL14 bis CL18 im Angebot, wobei das Optimum aus hohem Takt und niedrigen Timings bei DDR4-3600 CL14-15-15-35 bei einer Betriebsspannung von 1,40 Volt lag. Ab DDR4-3800 gab es im Portfolio des Herstellers hingegen nur noch Module mit einer Latenz von CL17 und aufwärts.

Nun legt G.Skill aber noch einmal nach und präsentiert zwei weitere Kits der besagten Trident-Z-Neo-Reihe mit 16 GB und 32 GB, die mit DDR4-3800 CL14-16-16-36 bei einer Betriebsspannung von 1,5 Volt spezifiziert sind. Dies verspricht noch einmal niedrigere Latenzen, die G.Skill selbst mit einem AMD Ryzen 9 3900X auf einem MSI MEG-X570-Mainboard getestet hat und damit ein Ergebnis von 66,3 Nanosekunden erreichen konnte.

Laut G.Skill lief die Infinity Fabric dabei mit einer Anbindung von 1:1 und einem Takt von 1.900 MHz statt der üblichen 1.600 MHz. Das Ergebnis kann sich durchaus sehen lassen, so erreichte das G.Skill Testsystem neben der bereits genannten Latenz von 66,3 Nanosekunden eine Speicherbandbreite von 58 GB/s beim Schreiben, 56 GB/s beim Lesen und 58 GB/s beim Kopieren.

Unter den RGB-Kühlkörpern des Trident-Z-Neo-Kits finden sich, wie für diesen Leistungsbereich üblich, Speicherbausteine vom Typ Samsung B-Die, während die langsameren Kits der Serie als DDR4-3000 (CL16), DDR4-3200 (CL16) und auch DDR4-3600 (CL18) wie bei der Trident-Z- und Trident-Z-RGB-Serie auch mit ICs von SK Hynix und Micron bestückt sind.

Verfügbarkeit und Preise

Die beiden Kits mit den Produktnummern F4-3800C14D-16GTZN und F4-3800C14Q-32GTZN sind zum jetzigen Zeitpunkt noch nicht im Handel gelistet. In Anbetracht der Preise für die 16-GB- und 32-GB-Kits mit der Spezifikation von DDR4-3600 CL14-15-15-35 wird G.Skill sich das Alleinstellungsmerkmal aus maximalem Takt und niedrigen Timings aber mit Sicherheit vergolden lassen. 2 × 8 GB DDR4-3600 CL14 von G.Skill schlagen aktuell mit 340 Euro zu Buche.

Die Redaktion dankt Community-Mitglied „benneq“ für seine Hinweise zu dieser News.

Update 01.08.2019 23:08 Uhr

Wie wirken sich Takt und Timings aus?

Auf Wunsch der Community und initiiert durch die Frage von Community-Mitglied Mr. Baba bietet nachfolgende Tabelle die Auswirkung von hohen Taktraten und niedrigen Timings auf die wahre Latenz eines RAM-Kits in der Übersicht.

Auswirkungen von Takt und Timings auf die Latenz
Typ Geschwindigkeit (MT/s) Taktzykluszeit (ns) CAS-Latency (CL) Latenz (ns)
DDR4-2133 2.133 0,94 16 15,04
DDR4-3000 3.000 0,67 16 10,69
DDR4-3200 3.200 0,63 16 10,02
DDR4-3200 3.200 0,63 15 9,39
DDR4-3200 3.200 0,63 14 8,77
DDR4-3600 3.600 0,56 16 8,91
DDR4-3600 3.600 0,56 14 7,79
DDR4-3800 3.800 0,53 14 7,39
DDR4-4000 4.000 0,50 16 8,02
DDR4-4800 4.800 0,42 18 7,52

Wie man sehen kann, liefert das neue RAM-Kit aus der Trident-Z-Neo-Reihe mit 7,39 Nanosekunden die niedrigste Latenz und selbst Arbeitsspeicher mit einer Spezifikation von DDR4-4800 CL18, wie beispielsweise G.Skills Trident Z Royal, kann mit 7,52 Nanosekunden nur schwer mithalten, trotz einer um 1.000 MT/s höheren Geschwindigkeit.

Mit knapp unter 9 Nanosekunden stehen DDR4-3200 CL14 (8,82 ns) und DDR4-3600 CL16 (8,96 ns) hinsichtlich Preis-Leistungs-Verhältnis besser da. Dies wird sich auch im Laufe der nächsten Woche in der neuen Ausgabe des RAM-Ratgebers widerspiegeln.