LPDDR5T: SK Hynix zündet den Low-Power-DRAM-Turbo

Michael Günsch
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LPDDR5T: SK Hynix zündet den Low-Power-DRAM-Turbo
Bild: SK Hynix

Auf X folgt T. SK Hynix beschleunigt den LPDDR5-Speicher auf 9.600 MT/s und nennt diesen nicht mehr LPDDR5X, sondern LPDDR5T. Das „T“ steht dabei für Turbo. Gegenüber LPDDR5X mit bis zu 8.533 MT/s steigt der Durchsatz um 13 Prozent.

Die nächste Stufe für Low-Power-RAM

LPDDR steht für Low-Power Double Data Rate und ist eine auf Energiesparen ausgerichtete Variante von SDRAM, die als Arbeitsspeicher für Mobilgeräte dient. Auf LPDDR5 mit 6.400 MT/s folgte im Jahr 2021 das nächste Geschwindigkeits-Upgrade LPDDR5X mit maximal 8.533 MT/s. Noch bevor LPDDR6 erscheint, schiebt SK Hynix jetzt LPDDR5T mit 9.600 MT/s dazwischen.

Ob dies auch ein neuer JEDEC-Standard sein wird, bleibt abzuwarten. Bisher hat das für die Speicherstandards zuständige Komitee noch keine entsprechende Ankündigung getätigt. Der LPDDR5T von SK Hynix soll aber weiterhin im von der JEDEC festgelegten Bereich von 1,01 Volt bis 1,12 Volt bei der Betriebsspannung arbeiten.

Auch wenn LPDDR5X mit 8.533 MT/s bereits im Sommer 2021 verabschiedet wurde, kam dieser Speicher erst im November 2022 auf den Markt. Daher heißt es bei SK Hynix nun, dass man in nur zwei Monaten diese Klasse schon wieder überbieten kann und in diesem Punkt die Führung im Markt übernimmt.

Muster mit 16 GB stehen bereit

Unternehmenskunden von SK Hynix sollen bereits mit Mustern des LPDDR5T versorgt sein. Dabei handele es sich um Multi-Chip-Packages mit 16 GB Speicherkapazität. Diese Kombination aus mehreren Chips soll einen Durchsatz von 77 GB/s erreichen. Nicht nur für Smartphones der Oberklasse, sondern auch für die Bereiche Künstliche Intelligenz, Machine Learning und AR/VR sei der Speicher einsetzbar.

Serienfertigung in der 2. Jahreshälfte

Bis zur Markteinführung wird es aber noch eine Weile dauern, denn die Massenfertigung von LPDDR5T soll bei SK Hynix erst im zweiten Halbjahr 2023 beginnen. Dabei werde ein „1anm“-Prozess verwendet. Damit ist die vierte Generation des 10-nm-Verfahrens gemeint. Zum Einsatz komme dabei erneut High-K Metal Gate (HKMG).

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