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Der Retro-Hardware Bilderthread
- Ersteller andi_sco
- Erstellt am
lowrider20
Captain
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- Apr. 2011
- Beiträge
- 3.749
Wie auch immer man das alles so sauber hält?!?
RonnyVillmar
Lieutenant
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- Apr. 2020
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- 851
@Martin K. So macht meine Frau das auch ... 
lowrider20
Captain
- Registriert
- Apr. 2011
- Beiträge
- 3.749
Bring das auch mit diesem "Putzen" nicht so hin. Oder ich benutz es zu wenig. Dann verstaubts ja auch.
Candy_Cloud
Vice Admiral
- Registriert
- März 2015
- Beiträge
- 6.691
Mal was für die OGs
In drei kleinen Grafiken dargestellt die Funktion eines J-FET mit N-Kanal.
Grundsätzlich wurde diese Art des FET bereits 1925 entwickelt. Konnte jedoch in Ermangelung höherer Dotierungen einige Zeit noch nicht hergestellt werden.
Im Vergleich zum MOSFET ist je ein Gate mit P-Dotierung auf beiden Seiten des Kanals nötig. Von hier aus bildet sich über den P-N-Übergang das elektrische Feld aus welches im Maximum den Kanal komplett sperrt und keinen Strom mehr von Source nach Drain fließen lässt.
Daher auch der Name Junction FET. Es wird die Sperrschicht ausgenutzt.
Im Gegensatz zum Bipolartransistor ist kein wesentlicher Strom am Gate nötig. Es reicht das reine Spannungspotential aus.
Cheers
In drei kleinen Grafiken dargestellt die Funktion eines J-FET mit N-Kanal.
Grundsätzlich wurde diese Art des FET bereits 1925 entwickelt. Konnte jedoch in Ermangelung höherer Dotierungen einige Zeit noch nicht hergestellt werden.
Im Vergleich zum MOSFET ist je ein Gate mit P-Dotierung auf beiden Seiten des Kanals nötig. Von hier aus bildet sich über den P-N-Übergang das elektrische Feld aus welches im Maximum den Kanal komplett sperrt und keinen Strom mehr von Source nach Drain fließen lässt.
Daher auch der Name Junction FET. Es wird die Sperrschicht ausgenutzt.
Im Gegensatz zum Bipolartransistor ist kein wesentlicher Strom am Gate nötig. Es reicht das reine Spannungspotential aus.
Cheers
Anhänge
Zuletzt bearbeitet:
wuselsurfer
Admiral
- Registriert
- Juni 2019
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- 9.648
Jein.Candy_Cloud schrieb:Grundsätzlich wurde diese Art des FET bereits 1925 entwickelt.
Lilienfeld hat 1925 einen spannungsgesteuerten Widerstand skizziert, der dem Aufbau eines Feldeffekttransistors entspricht.
Oder auch zwei.Candy_Cloud schrieb:Daher auch der Name Junction FET. Es wird die Sperrschicht ausgenutzt.
Da fehlt ein "fast".Candy_Cloud schrieb:Im Gegensatz zum Bipolartransistor ist kein Strom am Gate nötig.
Es fließen immer Leckströme im Transistor, auch wenn es beim J-FET nur Piko-Ampere sind.
Candy_Cloud
Vice Admiral
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- März 2015
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- 6.691
Metex M80 (Autorange) hergestellt ca. Q4 1988.
Voll funktionsfähig. Alleine die alten Alps Schalter sind retro.
Auch ein 20A Messbereich ohne Sicherung ist heute eher selten anzutreffen. Auch die Verwendung von LTCC Modulen im SIC Formfaktor ist heute selten. Fluke setzt noch LTCC Präzisionsreferenzen ein.
Dick-/Dünnschicht hat den Vorteil das Widerstände im Siebdruckverfahren erzeugt werden und danach durch Lasertrimmen genau eingestellt werden können. Dies vermeidet den Bedarf an teuren Widerständen.
Wer Metex nicht kennt, heute firmiert diese Firma unter dem Namen Voltcraft. Wie Voltcraft war auch Metex eher Budget-Klasse.
Der große Intersil Chip ist der Multimeter-Chip und der kleine links darunter ist eine Ladungspumpe zur Erzeugung der nötigen negativen Spannungen.
Wie damals recht verbreitet, verfügt diese Platine auf der Rückseite über ein paar nachträglich angebrachte Bauteile und Kabel.
In der Praxis hat das M80 eine schnelle Anzeige. Im Vergleich zu aktuellen, preiswerten Uni-T Messgeräten mit Autorange ca. ne Sekunde schneller.













