Elektronik Transistorwahl für Gpio Pin zu 5V IR Diode

Uzer1510

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Hmmm vermutlich kennen sich hier viele besser aus in Elektronik als ich :D Bisher nutze ich eine andere Schlatung mit einem 2N2222 die tut auch ok (47 Ohm zum Transistor vom 3,3V GPIO , 100 Ohm 5V+ zur Diode vom ESP32)

Aber ich habe die Schaltung gesehen

Da würde doch mehr Strom an der Diode ankommern? Sendeleistung ist mit 2N2222 ok aber najo ein wenig mehr wäre nett
 

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Der Widerstand zwischen +5V und der Diode bestimmt ja mit großem Anteil den Strom durch die Diode.
Du hast den Spannungsabfall an der Diode, ca. 1,6V.
Den Spannungsabfall an dem 2N2222 mit 0,6-1V oder den Spannungsabfall am Mosfet bestimmt durch Rdson
Rdson hängt davon ab wie hoch die Spannung am Ausgang des ESP ist.
Bei dem TN0702 so um die 5 bis 2,5 Ohm. Bei 5 Ohm wären das bei 100mA 0,5V.

Wenn man als Spannungsabfall für Diode + Transistor 1,6+ 0,6 annimmt = 2,1V.
5V-2,1V = 2,9V die am Strombegrenzungswiderstand abfallen.
Bei 100 Ohm ergeben sich dann 29 mA durch die Diode, bei 33 Ohm 88mA.

Nach den Datem von dem 2N2222 könnte man auch von 100 Ohm auf 33 Ohm gehen.
 
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ah cool danke fürs Rechnen und die Erklärung - hab halt einfach immer die höchsten genommen die ich in so Schaltungen gefunden habe

am 5V pin des ESP32 Board wird einfach USB+ durchgereicht das sollte bei 5 bis 5,1V sein.

Denke das wird vermutlich sogar reichen die Sendeleistung ist aktuell mit dem 2N2222 und meinen wohl zu hohen Widerständen bereits bei so gefühlten "90%" vom Ziel :D

Hab jetzt nur nen 47 Ohm auf die schnelle rausgekramt aber das reicht glaub auch - normals danke
 
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