Super.Dankeschön!!
Ich warte täglich auf meinen neuen PC.Wollte mich nur vorab schlau machen.
Ich denke ich werde noch weitere fragen dazu haben,wenn der Praktische Teil kommt.
Nochmal Danke
Artilect
Werd die Temp Frage beantworten sobald ich den NEUEN PC
da habe.Danke
Hatte erwartet,es dauert ewig,bis mir jemand weiterhilft.Gut sich manchmal zu irren.
LG
Artilectl
And again..
Also Die Temperaturen sind kern 1-4 __ 28-30 Grad und CPU __ 33 Grad
Beim Spielen z.b TestDrive steigen alle Werte um ca. 10 Grad
Ich habe Everest Ultimate installiert (Für spätere Fragen)
Ich have den Thermaltake Soprano Tower.
(Temperaturen nach 6 Stunden Betrieb)
Das dazu..
So,die erste Frage zu der oben gelinkten Anleitung ist,wie bekomme ich meinen Ram-Teiler raus.
Das hab ich bisher zusammen getragen:
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschaften:
CPU Typ QuadCore Intel Core 2 Quad Q6600, 2400 MHz (9 x 267)
CPU Bezeichnung Kentsfield
CPU stepping G0
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3
Vorgesehene Taktung 2400 MHz
Min / Max CPU Multiplikator 6x / 9x
Engineering Sample Nein
L1 Code Cache 32 KB per core
L1 Datencache 32 KB per core
L2 Cache 2x 4 MB (On-Die, ASC, Full-Speed)
Multi CPU:
Motherboard ID OEM00000 PROD00000000
CPU #1 Intel(R) Core(TM)2 Quad CPU Q6600 @ 2.40GHz, 2398 MHz
CPU #2 Intel(R) Core(TM)2 Quad CPU Q6600 @ 2.40GHz, 2398 MHz
CPU #3 Intel(R) Core(TM)2 Quad CPU Q6600 @ 2.40GHz, 2398 MHz
CPU #4 Intel(R) Core(TM)2 Quad CPU Q6600 @ 2.40GHz, 2398 MHz
CPU Technische Informationen:
Gehäusetyp 775 Contact LGA
Gehäusegröße 3.75 cm x 3.75 cm
Transistoren 582 Mio.
Fertigungstechnologie 8M, 65 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, 2nd Gen Strained Si
Gehäusefläche 286 mm2
Core Spannung 1.288 V
I/O Spannung 1.288 V
Typische Leistung 130 W
Maximale Leistung 168.8 W
--------[ Motherboard ]-------------------------------------------------------------------------------------------------
Motherboard Eigenschaften:
Motherboard ID 01/09/2008-P35-W627DHG-6A79OA1EC-12
Motherboard Name Abit IP35V
Front Side Bus Eigenschaften:
Bustyp Intel AGTL+
Busbreite 64 Bit
Tatsächlicher Takt 267 MHz (QDR)
Effektiver Takt 1067 MHz
Bandbreite 8533 MB/s
Speicherbus-Eigenschaften:
Bustyp Dual DDR2 SDRAM
Busbreite 128 Bit
DRAM:FSB Verhältnis 12:8
Tatsächlicher Takt 400 MHz (DDR)
Effektiver Takt 800 MHz
Bandbreite 12800 MB/s
Chipsatzbus-Eigenschaften:
Bustyp Intel Direct Media Interface
Motherboard Technische Information:
CPU Sockel/Steckplätze 1 LGA775
Erweiterungssteckplätze 3 PCI, 2 PCI-E x1, 1 PCI-E x16
RAM Steckplätze 4 DDR2 DIMM
Integrierte Geräte Audio, Gigabit LAN
Bauform (Form Factor) ATX
Motherboardgröße 240 mm x 300 mm
Motherboard Chipsatz P35
Motherboardhersteller:
Firmenname ABIT Computer Corporation
Produktinformation
http://www.abit.com.tw/page/en/motherboard/motherboard.php
BIOS Download
http://www.abit.com.tw/page/en/download/download.php?pFILE_TYPE=Bios
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 78T2863DZS-CF7 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 78T2863DZS-CF7
Seriennummer 870DC3E6h (3871542663)
Herstellungsdatum Woche 5 / 2008
Modulgröße 1 GB (1 rank, 8 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-800 (400 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 400 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM2: Samsung M3 78T6553EZS-CF7 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 78T6553EZS-CF7
Seriennummer 79530531h (822432633)
Herstellungsdatum Woche 13 / 2008
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-800 (400 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 400 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM3: Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 78T2953EZ3-CF7
Seriennummer 8038761Bh (460732544)
Herstellungsdatum Woche 9 / 2008
Modulgröße 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-800 (400 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 400 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM4: Samsung M3 78T6553EZS-CF7 ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 78T6553EZS-CF7
Seriennummer 870B839Eh (2659388295)
Herstellungsdatum Woche 3 / 2008
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-800 (400 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 400 MHz 6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
--------[ Chipsatz ]----------------------------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: Intel Bearlake P35 ]
North Bridge Eigenschaften:
North Bridge Intel Bearlake P35
Intel Platform Salt Creek
Unterstützte FSB Geschwindigkeiten FSB800, FSB1066, FSB1333
Unterstützte Speichertypen DDR2-667 SDRAM, DDR2-800 SDRAM, DDR3-800 SDRAM, DDR3-1066 SDRAM, DDR3-1333 SDRAM
Maximale Speichermenge 8 GB
Revision / Stepping 02 / A2
Core Spannung 1.25 V
In-Order Queue Depth 12
Speichercontroller:
Typ Dual Channel (128 Bit)
Aktiv-Modus Dual Channel (128 Bit)
Speicher Timings:
CAS Latency (CL) 6T
RAS To CAS Delay (tRCD) 6T
RAS Precharge (tRP) 6T
RAS Active Time (tRAS) 18T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 52T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 15T
Read To Read Delay (tRTR) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Write Delay (tRTW) 8T
Write To Read Delay (tWTR) Same Rank: 12T, Different Rank: 5T
Write To Write Delay (tWTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 6T
Read To Precharge Delay (tRTP) 5T
Write To Precharge Delay (tWTP) 15T
Precharge To Precharge Delay (tPTP) 1T
Refresh Period (tREF) 3120T
DRAM Read ODT 3T
DRAM Write ODT 6T
MCH Read ODT 8T
Performance Level 5
Read Delay Phase Adjust Neutral
DIMM1 Clock Fine Delay 1T
DIMM2 Clock Fine Delay 6T
DIMM3 Clock Fine Delay 1T
DIMM4 Clock Fine Delay 7T
Fehlerkorrektur:
ECC Nicht unterstützt
ChipKill ECC Nicht unterstützt
RAID Nicht unterstützt
ECC Scrubbing Nicht unterstützt
Speichersteckplätze:
DRAM Steckplatz #1 1 GB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 512 MB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
DRAM Steckplatz #3 1 GB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
DRAM Steckplatz #4 512 MB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
PCI Express Controller:
PCI-E 1.0 x16 port #2 Belegt @ x16 (POV GeForce 8600 GT Video Adapter)
Chipsatzhersteller:
Firmenname Intel Corporation
Produktinformation
http://www.intel.com/products/chipsets
Treiberdownload
http://support.intel.com/support/chipsets
Treiberupdate
http://driveragent.com?ref=59
[ South Bridge: Intel 82801GB ICH7 ]
South Bridge Eigenschaften:
South Bridge Intel 82801GB ICH7
Intel Platform Salt Creek
Revision / Stepping E1 / A1
Gehäusetyp 652 Pin mBGA
Gehäusegröße 3.1 cm x 3.1 cm
Core Spannung 1.05 V
High Definition Audio:
Codec Name Realtek ALC883
Codec ID 10EC0883h / 147B0000h
Codec Revision 00100002h
Codec Typ Audio
Unterstützte Sound Formate 44 kHz, 48 kHz, 96 kHz, 192 kHz, 16 Bit, 20 Bit, 24 Bit
PCI Express Controller:
PCI-E 1.0 x1 port #1 Frei
PCI-E 1.0 x1 port #3 Belegt @ x1 (Marvell Yukon 88E8056 PCI-E Gigabit Ethernet Controller)
Chipsatzhersteller:
Firmenname Intel Corporation
Produktinformation
http://www.intel.com/products/chipsets
Treiberdownload
http://support.intel.com/support/chipsets
Treiberupdate
http://driveragent.com?ref=59
--------[ BIOS ]--------------------------------------------------------------------------------------------------------
BIOS Eigenschaften:
BIOS Typ Award
BIOS Version 12
Award BIOS Typ Phoenix - AwardBIOS v6.00PG
Award BIOS Nachricht
Datum System BIOS 01/09/08
Datum Video BIOS 02/01/08
BIOS Hersteller:
Firmenname Phoenix Technologies Ltd.
Produktinformation
http://www.phoenix.com/en/products/default.htm
BIOS Aufrüstungen
http://www.esupport.com/biosagent/index.cfm?refererid=40
Ausserdem möchte ich meine Nvidia GT8600 mit Ntune übertakten und weiß nicht wie weit ich ohne Crash gehen kann.Angeboten wird mir
Core (Standart) 540 - 1080
Mem (Standart) 400 - 1100
Würde mich freuen,wenn mir geholfen wird! Bevor ich es vergeige.
LG Artilect
