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NewsTSMC: 14-nm-Chips auf 450-mm-Wafern bereits 2015
Große Töne aus Asien: TSMCs stellvertretender Leiter der Forschung und Entwicklung hat in einem Interview bekannt gegeben, dass die Firma bereits im Jahr 2015 14-nm-Chips fertigen und ausliefern will. Doch dem nicht genug, das Ganze soll auch noch auf 450-mm-Wafern geschehen.
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.
Und was die zu hoch gesteckten Ziele angeht. Seid froh wenn man sich hohe Ziele steckt. Erreicht man sie nicht, ist man im Vergleich trotzdem ein gutes Stück weiter gekommen.
Steckt man sich zu niedrige Ziele, dann strengt man sich doch nicht an und die Entwicklung geht langsamer voran.
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.
Licht und dünn?
Es kommt auf die Wellenlänge des Lichtes an. Normalerweise ist bei Strukturbeiten von der halben Wellenlänge schluss (bei viloettem Licht beträgt die Wellenlänge um die 400nm), doch mitterweile wurde die Belichtung durch Linseneffekte (Belichtung in Flüssigkeiten) soweit verbessert, dass man Strukturbreiten belichten kann, die <1/10 der Wellenlänge des Belichtungslichtes entspricht.
Doch irgendwann ist schluss und man muss auf hartes UV-Licht (UV-C --> 100 bis 200 nm Wellenlänge), später sogar auf Extremes UV-Licht (EUV --> 1 bis 100 nm Wellenlänge --> alles < 50 nm wird auch als weiche Röntgenstrahlung bezeichnet) umsteigen. Hier macht jedoch vor allem die Bündelung des Lichtes Probleme: Gläser, die im sichtbaren Licht bündeln (Linsen), tun dies bei extrem hochfrequentem Licht nicht mehr, da das Licht durch das Glas einfach geradlinig hindurch geht. Da muss man also noch eine Weile Forschen, doch EUV verspricht Strukturbreiten bis in den einstelligen nm-Bereich (mehr geht nicht, weil die Transistoren sonst weniger als 10 Atomlagen dick sind und nicht mehr den Stromfluss sperren können).
Du hast Recht, es gibt kein dünnes Licht. Auf die Welle-Teilchen Problematik sollte hier aber nicht eingegangen werden.
Die aktuelle Wellenlänge zur Herstellung beträgt 193nm eines ArF-Lasers und wird als Deep Ultra Violet (DUV) bezeichnet. Wenn dich genauer interessiert wie man daraus kleinere Strukturen erzeugt, dann google mal folgende Begriffe:
Resolution Enhancement Techniques (Phase Shift Masks, Optical Proximity Correction, Off-Axis Illumination), Multiple Patterning, Immersionslithografie und ganz neu Source Mask Optimization.
Der Bereich der Rötgenstrahlung beginnt ab 50nm und wird als "weiche Röntgenstrahlung" bezeichnet, während bei kleineren Wellenlängen von "harter Röntgenstrahlung" die Rede ist. Herkömmliche Linsen können jetzt nicht mehr verwendet werden, weil sie das Licht REFLEKTIEREN, also intransparent werden. Bei der EUV-Lithografie muss daher alles neu konzipiert werden, da jetzt nur noch mit Spiegeln gearbeitet werden kann.
Der ganze Spaß funktioniert dann bei rund 13nm Wellenlänge und wird als EUV-Lithografie bezeichnet.
Ich hoffe ihr informiert euch vorher bevor ihr euer "Wissen" verbreitet. Ihr schadet sonst mehr als ihr helft
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.
Bedingt durch die immer kleiner werdenden Strukturen im Nanometer-Bereich wird die aktuell eingesetzte Immersionslithografie mit einer Wellenlänge von 193 Nanometer spätestens bei der 16/14-nm-Fertigung an ihren Grenzen angelangt sein.
Ob sich das Verfahren wirklich in der Massenfertigung durchsetzen kann, wird nicht zuletzt davon abhängen, wie weit die Hersteller mit der EUV-Lithografie kommen und ob die Probleme der Elektronenstrahllithografie sich auch im industriellen Einsatz lösen lassen.
2015 schon 14nm TSMC??? Lol ich würde langsam mal mit solchen Zukunft Prognosen aufhören. man liest immer so was und haben immer wie aktuelle mit den neuen Fertigungsgrößen Probleme wo sich dann wieder eine GPU Generation verschieben weil Fertiger wie TSMC es nicht schaffen.