Infineon erweitert Kooperation mit Winbond

Wie Infineon heute bekannt gab, wird man die Zusammenarbeit mit Winbond bei der Fertigung von Standard-Speicherchips (DRAMs) erweitern. Dadurch soll unter anderem die Marktposition im asiatisch-pazifischen Raum ausgebaut werden. Ein entsprechender Vertrag wurde heute unterzeichnet.

Im Rahmen dieser Zusatzvereinbarung wird Infineon seine 0,09-µm DRAM Trench-Technologie und sein 300-mm-Fertigungs-Know how zu Winbond transferieren. Im Gegenzug übernimmt Winbond die exklusive Fertigung von DRAMs für Computeranwendungen für Infineon, die mit dieser Technologie hergestellt werden. Der Transfer dieser Technologien von Infineon ermöglicht Winbond die Entwicklung und Vermarktung entsprechender proprietärer Spezialspeicherbausteine, dazu zählt unter anderem auch Speicher für Grafikkarten, für die Infineon Lizenzgebühren erhält. Darüber hinaus ist die Entwicklung von Spezialspeicherbausteine für den Einsatz in mobilen Applikationen, wie PDAs, Handys und Smartphones, geplant.

Mit diesem Schritt kann Infineon auf die 200-mm- und 300-mm-Fertigungsstätten von Winbond zurückgreifen, um seine Kapazität von Winbond erheblich aufzustocken. Bereits im Mai 2002 vereinbarten die beiden Unternehmen, dass Winbond exklusiv für Infineon Speicherchips für Computeranwendungen in seinem 200-mm-Werk in Hsinchu auf Basis der 0,11-µm DRAM-Trench-Technologie von Infineon fertigt. Erste Produkte des neuen 300-mm-Werks, das in Taichung, Taiwan, gebaut wird, werden für Ende 2005 erwartet.