EUV-Lithografie : ASML und TSMC belichten 1.022 Wafer in 24 Stunden

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EUV-Lithografie: ASML und TSMC belichten 1.022 Wafer in 24 Stunden
Bild: ASML

ASML und TSMC haben einen weiteren Meilenstein auf dem Weg zur Serienfertigung mit der neuen EUV-Lithografie überschritten. Mit einer über 90 Watt starken Lichtquelle wurden bei TSMC 1.022 Wafer binnen 24 Stunden belichtet. Der bisherige Höchstsatz lag bei lediglich 637 Wafern, die von IBM mit ASML-Geräten belichtet wurden.

Die Marke von über 1.000 Wafer pro Tag war in den letzten Jahren als erste große Hürde formuliert worden. Zuletzt hatte sowohl der Fabrikausrüster ASML als auch die Abnehmer der Technik, allen voran TSMC mit multiplen Bestellungen, etwa 1.500 Wafer pro Tag als Ziel gesetzt, bei der eine wirtschaftliche Fertigung möglich werde. Diese soll mit der neuen Generation NXE:3350B spätestens im kommenden Jahr dauerhaft erreicht werden, die jetzigen über 1.000 Wafer an einem Tag stammen noch aus dem upgradefähigen Vorgänger NXE:3300B.

TSMC hat mindestens vier EUV-Systeme bestellt und plant deren Einsatz so schnell wie möglich. Bei TSMC sind dort bereits Termine Ende des kommenden Jahres im Gespräch gewesen, ASML gibt sich derweil nicht so optimistisch und geht von einem großflächigen Einsatz erst ab 2018 aus. Den Anfang könnten Ende 2016 aber relativ einfache und kleinere Chips aus dem Logic-, DRAM- und NAND-Bereich machen, bevor es in den Monaten darauf zu komplexeren SoCs & Co. ausgebaut wird. Die Probleme im EUV-Zeitplan hatten unter anderem Intel bereits dazu angetrieben, die 7-nm-Fertigung noch ohne EUV-Lithografie anzustrengen, wie der Hersteller bereits beim IDF 2014 und kürzlich noch einmal betonte.