Samsung SSD 750 Evo im Test : Mit der 850 Evo ohne 3D-NAND in den Preiskampf

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Samsung SSD 750 Evo im Test: Mit der 850 Evo ohne 3D-NAND in den Preiskampf

Lange Zeit bildete die Serie 850 Evo den Einstieg in Samsungs SSD-Portfolio für Endkunden. Zunächst in Asien gestartet, kam in diesem Jahr schließlich die 750 Evo auf den Markt. Mit ähnlichen Leistungswerten aber ohne 3D-NAND und mit weniger Garantie umfasste die neue Einstiegsserie anfangs lediglich zwei Modelle mit 120 und 250 GByte. Doch ab sofort gibt es auch ein 500-GB-Modell. Samsung begründet diesen Schritt damit, dass „die Nachfrage nach den kleineren Modellen nach Markteinführung unerwartet stark war und höhere Kapazitäten gefordert sind“.

Technik im Überblick

Die Samsung SSD 750 wird ausschließlich im 2,5-Zoll-Formfaktor mit sieben Millimeter hohem Gehäuse und SATA-Anschluss angeboten. M.2- oder mSATA-Varianten wie bei der 850 Evo gibt es nicht.

120 GB 250 GB 500 GB 1 TByte 2 TByte 4 TByte
Samsung SSD 750 Evo
Samsung SSD 850 Evo

Bei der Technik besteht der wesentliche Unterschied zur 850 Evo im eingesetzten Flash-Speicher: Statt des V-NAND genannten 3D-NAND setzt Samsung herkömmlichen 2D-NAND der aktuellen 16-nm-Generation ein. Dabei handelt es sich um TLC-Flash mit 3 Bit pro Speicherzelle und einer Kapazität von 128 Gigabit pro Die.

Samsung packt in jedes Chip-Gehäuse acht der 128-Gigabit-Dies, sodass jeder Speicherbaustein 128 GByte Speicherplatz liefert. Davon ist ein Teil als Reservespeicher (Spare Area) für Wear Leveling, Ersatzblöcke und Fehlerkorrektur reserviert, sodass die nutzbare Speicherkapazität geringer ausfällt.

Mini-Platinen mit Controller und DRAM in einem Chip

Entsprechend besitzt das 120-GB-Modell nur einen Speicherchip, das 250-GB-Modell deren zwei und das 500-GB-Modell deren vier. Die Varianten mit geringer Kapazität besitzen eine winzige Platine, bei dem 500-GB-Modell wird ein größeres PCB benötigt. Um zusätzlich Platz zu sparen, sitzt der DRAM-Cache bei den 750 Evo mit 120 und 250 GByte im gleichen Chip-Gehäuse wie der Controller. Die Steuereinheit benennt Samsung als MGX-Controller, der auch bei der 850 Evo und der Portable SSD T3 zum Einsatz kommt. Der MGX-Controller besitzt zwei Kerne und vier Speicherkanäle.

Samsung SSD 750 Evo mit 120, 250 und 500 GB (v.l.n.r.)
Samsung SSD 750 Evo mit 120, 250 und 500 GB (v.l.n.r.)
Samsung SSD 750 Evo mit 120, 250 und 500 GB (v.l.n.r.)
Samsung SSD 750 Evo mit 120, 250 und 500 GB (v.l.n.r.)
Samsung 750 Evo 120 GB Samsung 750 Evo 250 GB Samsung 750 Evo 500 GB
Controller Samsung MGX Samsung MGX S4LN062X01
Cache 256 MB DDR3 (im Controller-Package) 512 MB LPDDR3
NAND-Packages 1 × K90KGY8S7D 2 × K90KGY8S7D 4 × K90KGY8S7D
NAND-Dies/Package 8 × 128 Gbit (Samsung 16 nm TLC 2D-NAND)
Schnittstelle SATA 3 (6 Gb/s)

Nur mit TurboWrite liegen 750 Evo und 850 Evo auf Augenhöhe

Wie alle aktuellen TLC-SSDs von Samsung arbeitet auch die Firmware der 750 Evo mit dem sogenannten TurboWrite-Modus. Dabei wird ein Teil des Reservespeichers wie SLC-Flash angesprochen, sodass nur ein Bit pro Speicherzelle geschrieben wird. Dies sorgt für schnelleren Schreibdurchsatz solange die Daten in diesen Pseudo-SLC-Cache hineinpassen. Die Cache-Größen fallen mit 3 GByte für die 750 Evo mit 120 und 250 GByte sowie 6 GByte für das 500-GB-Modell wie bei der 850 Evo aus.

Innerhalb des SLC-Cache fällt auch die Schreibleistung wie bei der 850 Evo aus, der Hersteller nennt pauschal 520 MB/s und 88.000 IOPS. Doch jenseits des SLC-Cache zeigt sich der Leistungsunterschied zwischen dem 2D-NAND der 750 Evo und dem 3D-NAND der 850 Evo: Die sequenzielle Schreibrate fällt durchweg niedriger aus. Dies macht sich vor allem beim 500-GB-Modell bemerkbar: Bei der 850 Evo sind es noch hohe 500 MB/s, bei der 750 Evo nur noch 300 MB/s. Ohne den SLC-Cache schreibt die 750 Evo also teils deutlich langsamer als die 850 Evo. Die nachfolgenden Tests werden zeigen, bei welchen Anwendungsszenarien sich dies bemerkbar macht.

Höhere Schreibraten ohne TurboWrite
Kapazität 120 GB 250 GB 500 GB
TurboWrite-Puffer 3 GB 6 GB
seq. Schreiben
TurboWrite
520 MB/s
seq. Schreiben
nach TurboWrite
130 MB/s
850 Evo: 150 MB/s
250 MB/s
850 Evo: 300 MB/s
300 MB/s
850 Evo: 500 MB/s
Random IOPS (4K Write, QD32)
TurboWrite
88.000
Random IOPS (4K Write, QD32)
nach TurboWrite
34.000 56.000 80.000

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