Samsung Foundry: eMRAM feiert Tape-Out im 28FDS-Prozess

Michael Günsch 4 Kommentare
Samsung Foundry: eMRAM feiert Tape-Out im 28FDS-Prozess
Bild: Everspin

Neues von Samsung als Auftragsfertiger: Der Herstellungsprozess 28nm FD-SOI (28FDS) steht künftig auch für Hochfrequenz-Chips (RF) und Embedded MRAM (eMRAM) zur Verfügung. In Kooperation mit NXP wurde ein eMRAM-Test-Chip entwickelt, der jetzt sein Tape-out feierte.

Der eMRAM-Chip soll künftig unter anderem in SoCs integriert werden. MRAM steht für Magnetoresistive Random Access Memory und ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ähnliche Leistung und Haltbarkeit wie flüchtiger DRAM besitzt. Aufgrund aufwendiger Fertigung und geringer Speicherdichte ist MRAM allerdings deutlich teurer. Vor allem in den Bereichen Industrie, Luft- und Raumfahrt, aber auch IoT und Automotive wird MRAM unter anderem als SRAM-Ersatz eingesetzt.

Everspin lässt bei Globalfoundries fertigen

Everspin lässt seinen MRAM hingegen in einem 28-nm-CMOS-Verfahren bei Globalfoundries fertigen. Das Unternehmen hat in diesem Jahr die weltweit ersten ST-MRAM-Chips mit 1 Gigabit Speicherkapazität präsentiert. Diese sollen später auch in den PCIe-SSDs der Serie nvNITRO des Herstellers eingesetzt werden, die derzeit noch mit 256-Mbit-MRAM bestückt sind.

Samsung startet nächstes Jahr in die Massenproduktion

Während Everspin seit Jahren MRAM-Produkte anbietet, ist Samsung nahezu ein Frischling in diesem Markt. Der in Kooperation mit IBM und Infineon entwickelte MRAM soll nach letztem Informationsstand erst 2018 in die Massenproduktion gehen. Nach 28FDS ist bereits der 18FDS-Prozess angedacht.