QLC-3D-NAND: Micron bringt noch dieses Jahr ersten Terabit-Flash

Michael Günsch 22 Kommentare
QLC-3D-NAND: Micron bringt noch dieses Jahr ersten Terabit-Flash
Bild: The Register

Micron hatte bereits erste SSDs mit neuem QLC-3D-NAND für 2018 in Aussicht gestellt und einen Wafer mit solchen Chips präsentiert. Jetzt folgen weitere Details zum neuen Speicher mit vier Bit pro Speicherzelle. Demnach will Micron noch in diesem Jahr QLC-Flash-Chips mit 1 Terabit Speicherkapazität liefern.

Die Information stammt von Micron selbst, im Blog des Unternehmens zeigt eine Grafik den Fahrplan. Demnach wird auch dieses Jahr von der zweiten 3D-NAND-Generation von Micron mit einer 64-Layer-Architektur bestimmt. Neben dem bisherigen TLC-3D-NAND sind Varianten im neuen QLC-Design mit bis zu 1 Terabit (128 GB) Speichervolumen geplant.

Micron hat QLC-3D-NAND mit 1 Terabit für 2018 auf dem Plan
Micron hat QLC-3D-NAND mit 1 Terabit für 2018 auf dem Plan (Bild: Micron)

Im Februar hatte Micron bereits einen Wafer mit 512-Gigabit-QLC-Chips gezeigt (siehe Titelbild). In eigenen Enterprise-SSDs mit SATA-Schnittstelle sollen die neuen Speicherchips eingesetzt werden. Partner Intel wird voraussichtlich zuerst die Consumer-SSD 660p damit bestücken.

Mehr Hintergründe zu Microns QLC-3D-NAND liefert der ComputerBase-Artikel aus dem Februar. Auch Samsung und Toshiba planen bereits mit 1-Terabit-QLC-Flash.