News zNAND-O: Samsung träumt von NAND-Flash mit 3 µs und 400 GB/s

[MichaG]

Um KI-Anwendungen direkt auf dem Gerät (On-Device-AI) zu beschleunigen, plant Samsung einen speziellen NAND-Flash mit sehr hoher Leistung. Das Konzept heißt zNAND-O und soll sehr geringe Zugriffszeiten und einen sehr hohen Durchsatz liefern.

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[Brainorg]

Go4it. Es muss ja immer weiter gehen und ein vollständiges AI Model direkt auf dem Device.... sehr gerne 👌🏼

 

[lmfaktor]

Die sollen zuerst generell, selbst bei heutiger Generation der Speicher, das Hitzeproblem erst lösen.

 

[latexdoll]

Etwas nerven diese Nachrichten ;-)
Können die nicht einfach Bamm wir haben 512 PB mit 0,1 mircosekunden und 1 PB/sek Transfer ?

Jensen würde das sehr gefallen.