Quartalsbericht: Micron fährt NAND-Produktion weiter runter

Michael Günsch 23 Kommentare
Quartalsbericht: Micron fährt NAND-Produktion weiter runter
Bild: Micron

Micron hat Zahlen zum dritten Geschäftsquartal 2019 vorgelegt und dabei einen Ausblick auf den aktuellen Status sowie kommende Produkte gegeben. Außerdem äußerte sich Micron zur Situation mit Huawei, aber nicht zu 3D XPoint. Die geplante Reduzierung der Produktionsmenge von DRAM und NAND soll bei NAND noch verstärkt werden.

Microns Umsatz sinkt um fast 40 Prozent

Im Jahresvergleich sank der Umsatz von 7,797 Milliarden US-Dollar auf 4,788 Milliarden US-Dollar, was einen Rückgang von rund 39 Prozent bedeutet. Trotzdem fährt Micron weiterhin hohe Gewinne ein und meldet einen Nettogewinn von 840 Millionen US-Dollar. Die Erwartungen der Börsianer hat Micron mit diesen Zahlen übertroffen.

Reduktion der NAND-Produktion auf 10 Prozent verdoppelt

Die globale Überversorgung mit NAND-Flash hält an. Micron sieht vor allem den nun nahezu vollständig erfolgten Wechsel von 2D-NAND auf 3D-NAND und den inzwischen hohen 3D-NAND-Ausstoß als Ursache. Um dem Überschuss und dem Preisverfall Herr zu werden, soll die Produktion von NAND weiter gebremst werden. Zuletzt hatte Micron eine Reduzierung der sogenannten Wafer Starts um 5 Prozent angekündigt, dieser Wert wurde nun aber auf 10 Prozent verdoppelt. Für das zweite Halbjahr 2019 erwartet Micron eine „Stabilisierung“ des Gesamtmarkts, was steigende oder zumindest nicht weiter sinkende Speicherpreise bedeuten würde.

Produktion von DRAM und NAND wird reduziert
Produktion von DRAM und NAND wird reduziert (Bild: Micron)

96-Layer-NAND wird produktiver, 128-Layer-NAND macht Fortschritte

Beim 3D-NAND will Micron die Fertigung der aktuellen, noch gemeinsam mit Intel entwickelten Generation mit 96 Zellschichten (Layer) weiter hochfahren. Micron erwarte dabei sinkende Herstellungskosten, die auf eine Steigerung der Chip-Ausbeute (Yields) hindeuten.

Alle Augen richten sich allerdings schon auf die kommende 128-Layer-Generation, denn diese ist die erste, die Micron nach der Trennung von Intel im Alleingang produziert. Zudem erfolgt ein radikaler Architekturwechsel, der die neue Replacement-Gate-Technik mit sich bringt. Nähere Details hat Micron noch nicht veröffentlicht, verspricht sich davon aber neben weiteren Kostensenkungen auch Leistungssteigerungen sowie eine gute Basis für die Weiterentwicklung von 3D-NAND.

Fahrplan/Roadmap für DRAM und NAND
Fahrplan/Roadmap für DRAM und NAND (Bild: Micron)

Zum jüngsten Quartalsbericht lässt Micron lediglich „Fortschritte“ bei der Entwicklung des 128-Layer-NAND verlauten. Zudem wird die erste Fassung des neuen Herstellungsverfahrens voraussichtlich nur eine kleinere Rolle spielen. Erst mit der zweiten Generation des Replacement-Gate-Prozesses peilt Micron einen vollständigen Umstieg des Portfolios an.

In NAND, we continue to ramp our 96-layer 3D NAND and are on track to achieve healthy cost declines in fiscal 2019. We continue to make progress on our 128-layer 3D NAND, which uses replacement gate technology. As we discussed on the last call, we expect a partial transition to this node, with the full portfolio transition occurring on the second-generation replacement gate node.

Sanjay Mehrotra, CEO Micron

DRAM: Fortschritte bei 1Z, mehr Produkte mit 1Y, neue Reinräume

Beim DRAM vermeldet Micron „exzellente Fortschritte“ auf dem Weg zur Serienfertigung der kommenden Generation 1Z, die im nächsten Geschäftsjahr anlaufen soll. Zunächst liegt aber der Fokus auf der noch jungen 1Y-Generation, deren Anteil in Microns Portfolio weiter ausgebaut wird. Auf deren Basis sollen bald DDR4-Module für Server mit 64 GB Speicherkapazität erscheinen, die derzeit bemustert werden.

Microns „Errungenschaften“ im dritten Quartal
Microns „Errungenschaften“ im dritten Quartal (Bild: Micron)

Unter anderem für den Wechsel auf nachfolgende Generationen erweitert Micron derweil die Kapazitäten der Produktionsanlagen. Im April erfolgte der Spatenstich für einen neuen Reinraum im taiwanischen Taichung. Anfang Juni hatte Micron außerdem einen neuen Reinraum im japanischen Hiroshima eröffnet.

In DRAM, we are on track to deliver good cost declines in fiscal 2019. We continue to increase the mix of 1Y nanometer and are making excellent progress toward ramping 1Z next fiscal year. In April, we broke ground on our new cleanroom in Taichung, Taiwan, and earlier this month we announced the opening of a new cleanroom in Hiroshima, Japan. These cleanroom expansions will enable future DRAM node transitions of our existing wafer capacity.

Sanjay Mehrotra, CEO Micron

Angesichts der weltweiten Überversorgung mit DRAM-Chips und des daraus resultierenden Preisverfalls hält Micron an den Plänen fest, die DRAM-Produktion (wafer starts) um rund 5 Prozent zurückzufahren. Für das zweite Halbjahr 2019 erwartet Micron aber wieder eine gegenüber dem gleichen Vorjahreszeitraum steigende Nachfrage.

Bei LPDDR5 sieht sich Micron in Front

Beim Low-Power-DDR5-Speicher (LPDDR5) sieht sich Micron derzeit vor der Konkurrenz und hat nach eigenen Angaben kürzlich mit dem Sampling von LPDDR5 mit der höchsten Speicherdichte im Markt begonnen. Beim Mobile RAM sei Micron zudem im Bereich der Leistungsaufnahme führend.

Samsung hatte bereits vergangenen Sommer den Abschluss der Entwicklung von LPDDR5 mit 8 Gigabit (1 Gigabyte) pro Chip verkündet. Micron hat noch keine Angaben zur Speicherkapazität gemacht; die höhere Speicherdichte könnte aber das gleiche Speichervolumen bei kleinerer Chip-Fläche bedeuten.

3D XPoint ist kein Thema im Quartalsbericht

Völlig unerwähnt blieb im Earnings Call das Speicherprodukt 3D XPoint. Der zusammen mit Intel entwickelte Phasenwechselspeicher rangiert bei Leistung und Kosten zwischen DRAM und NAND-Flash und hat für eine neue Stufe in der Speicherhierarchie gesorgt. Nach wie vor wird 3D XPoint aber nur in Intels Optane-Produkten wie SSDs und NVDIMMs eingesetzt. Um eigene Produkte von Micron wurde es immer ruhiger. Nach letztem Stand sollen diese erst 2020 den Markt erreichen.

Statement zur Situation um Huawei

Micron gehört zu den diversen Unternehmen, die den chinesischen Smartphone-Hersteller mit Komponenten beliefern und daher vom andauernden Konflikt zwischen Huawei und den USA betroffen sind. Auch Micron hatte zwischenzeitlich die Kooperation mit Huawei auf Eis gelegt. Doch inzwischen liefere Micron wieder einen Teil der Produkte aus, da diese nach einer Prüfung nicht unter die von den USA gestellten Bedingungen für ein Export-Embargo fallen, heißt es in einer Stellungnahme von Micron.

Microns Statement zur Situation mit Huawei
Microns Statement zur Situation mit Huawei (Bild: Micron)

Dennoch weist Micron explizit auf die „weiterhin erheblichen Unsicherheiten in Bezug auf die Huawei-Situation“ hin, aufgrund derer genaue Prognosen für die weitere Belieferung von Huawei schlicht nicht möglich seien.