Neuer LPDDR4X-Speicher: Micron liefert Option auf 16 GB RAM im Smartphone

Michael Günsch 60 Kommentare
Neuer LPDDR4X-Speicher: Micron liefert Option auf 16 GB RAM im Smartphone
Bild: Micron (Symbolbild)

LPDDR-Arbeitsspeicher ist vor allem in Smartphones zu finden. Für diese besteht nun eine Option auf bis zu 16 GB RAM mit neuen Speicherchips. Micron packt bis zu acht LPDDR4X-Dies mit je 16 Gigabit respektive 2 Gigabyte Speicherplatz in ein Chip-Gehäuse (Package), das somit 16 GB Arbeitsspeicher liefert.

Konkurrent Samsung hat zwar schon länger 16-Gbit-Dies in der Serienfertigung, packt aber bisher nur maximal sechs davon in ein LPDDR4X-Package mit 12 GB. Noch sehr seltene Beispiele für Smartphones mit 12 GB RAM sind das OnePlus 7 Pro (Test) sowie in Kürze das neue Samsung Galaxy Note 10+ (Hands-on). Bei Micron gibt es nun die Option auf 16 GB RAM im Smartphone, was in naher Zukunft vereinzelt in der Luxusklasse zu erwarten ist.

Microns neuer LPDDR4X einzeln oder im Paket mit Flash-Speicher

Micron verspricht eine sofortige Verfügbarkeit des neuen LPDDR4X in größerer Menge, der sowohl einzeln als auch in Form eines Multi-Chip-Package mit UFS (uMCP4) für Geschäftskunden bereitsteht. Die uMCP4-Bausteine sind eine Kombination aus RAM (LPDDR4X) und Massenspeicher (Universal Flash Storage) und werden in acht Konfigurationen von 64 GB Flash + 3 GB RAM bis hin zu 256 GB Flash + 8 GB RAM angeboten. Die Maximalbestückung mit 16 GB LPDDR4X ist demnach nur als Einzellösung zu haben. Das Multi-Chip-Package spare wiederum Platz und Energie gegenüber dem getrennten Einsatz von RAM und Flash.

Neuer „1z“-DRAM für LPDDR4X-4266

Micron spricht vom „1z nanometer node“, der namentlich eine Generation weiter als Samsungs „1y“ DRAM ist. Beide Begriffe beschreiben ein Herstellungsverfahren der 10-nm-Klasse mit Strukturbreiten zwischen 10 nm und 19 nm. Bei der 1z-nm-Generation will Micron der Konkurrenz voraus sein und sei das erste Unternehmen, das mit der Massenproduktion von 16Gb DDR4 im 1z-nm-Verfahren begonnen habe. Mit höherer Speicherdichte sollen die Kosten pro Bit sinken. Zudem verspricht Micron bei der DDR4-Variante eine Reduzierung der Leistungsaufnahme um 40 Prozent und mehr Leistung als bei 1y nm.

In der LPDDR4X-Variante rühmt sich Micron mit der branchenweit niedrigsten Leistungsaufnahme, ohne jedoch Belege zu liefern. Gegenüber der vorherigen Generation soll die Leistungsaufnahme um bis zu zehn Prozent abnehmen. Wie bei Samsung werden 4.266 Megabit pro Sekunde und pro Pin als höchste Geschwindigkeitsklasse für LPDDR4(X) geboten.

Je nach Ausführung soll der neue Speicher in Smartphones der Mittel- und Oberklasse eingesetzt werden. Als Motivation wird einmal mehr der wachsende Bedarf an Speicher für das 5G-Zeitalter angeführt.

LPDDR5 für 50 Prozent höhere Datenrate

Mit LPDDR5 wurde bereits der Nachfolger von LPDDR4(X) von der JEDEC als neuer Standard des Low-Power DDR SDRAM beschlossen. Mit LPDDR5 steigt die maximale Datenrate um 50 Prozent auf bis zu 6.400 Mbit/s pro Pin. Erst vor einem Monat hat Samsung den Beginn der Massenfertigung von LPDDR5-5500 mit 12 Gigabit pro Die angekündigt, der mit 5.500 Mbit/s noch nicht das Maximum erreicht.