SK Hynix: 89 Prozent weniger Gewinn durch DRAM-Preisverfall

Volker Rißka 42 Kommentare
SK Hynix: 89 Prozent weniger Gewinn durch DRAM-Preisverfall
Bild: SK Hynix

Die Botschaft ist nahezu identisch zum zweiten Quartal 2019, finanziell besser sieht es bei SK Hynix auch im 3. Quartal 2019 nicht aus. Um 89 Prozent ging der Nettogewinn binnen eines Jahres zurück, statt 4,7 Billionen Südkoreanischen Won (~3,6 Milliarden Euro) sind es in Q3/2019 noch 495 Milliarden Won (~380 Millionen Euro).

Ähnlich wie der Steilflug beim Nettogewinn setzt sich auch die Abwärtsspirale beim Umsatz weiter fort. 6,84 Billionen Won statt 11,42 Billionen Won entsprechen einem Rückgang von 40 Prozent. Gegenüber dem zweiten Quartal ist das immerhin ein leichtes Aufbäumen, seinerzeit waren es 6,45 Billionen Won Umsatz. Von echter Entspannung kann aber noch keine Rede sein, vielmehr ist es dem typischen Jahreszyklus zu verdanken, dass einige Auslieferungen noch einmal anziehen.

SK Hynix interpretiert das aber direkt als „Erholung der Nachfrage“, wenngleich der Hersteller auch weiterhin von einem „Verfall des durchschnittlichen Verkaufspreises“ spricht. Denn insbesondere bei DRAM hat dieser im Vergleich zum vorangegangen Quartal noch einmal um beachtliche 16 Prozent nachgegeben, während zugleich 23 Prozent mehr Chips abgesetzt wurden. Lediglich bei NAND konnte mit einem Plus des Durchschnittspreise von vier Prozent bei einem Prozent geringerer Auslieferung eine Stabilisierung erreicht werden.

Weniger, aber Neues produzieren

SK Hynix hält an den Plänen fest, im kommenden Jahr erst einmal weniger Kapazität für Speicherchips anbieten zu wollen, um bei der Preisstabilisierung zu helfen. In der Speicherfabrik M10 in Südkorea werden dafür DRAM-Produktionslinien auf die Fertigung von CMOS-Image-Sensoren (CIS) umgestellt, während parallel die Herstellung von älterem 2D-NAND zurückgefahren wird. Zeitgleich wird deutlich weniger investiert, erklärt SK Hynix am heutigen Tage.

Der Fokus soll noch mehr auf High-End-Produkten liegen, der Hersteller nennt die Erhöhung des Ausstoßes von 96-Layer-NAND sowie die Vorbereitung für die Serienfertigung von NAND mit 128 Layern, während bei DRAM das fortschrittliche 1y-nm-Fertigungsverfahren nun zum Ende des Jahres bereits bei über 10 Prozent aller Chips genutzt werden soll. Die kürzlich angekündigte 1z-nm-Technik wird ab 2020 in Serie gehen, gleichzeitig soll noch mehr mit LPDDR5 und HBM2e gemacht werden, da der Hersteller dort Wachstumschancen sieht.