Zu dem bei uns im jüngsten
Review vertretetenen Athlon64 FX-55 gibt es interessante neue Informationen, die im Internet derzeit angeregt diskutiert werden.
[H]ard|OCP hat von AMD die Information bekommen, dass der Athlon64 FX-55 als erster AMD-Spross auf Straind Silicon on Insulator basiert. Wir haben bereits ausführlich über die Vorteile von Strained Silicon und Silicon on Insulator berichtet, AMD vereint nun erstmals beide Technologien in einem Produkt. Spannend an der Sache ist auch, dass AMD Strained Silicon zusammen mit der 130nm-Technologie einsetzt, was ja Gatelängen von über 70nm bedeutet. Alle uns bislang bekannten Veröffentlichungen sprachen von einer praktischen Anwendbarkeit von Straining in einer Größenordnung von unter 150 Atomlagen, das sind deutlich weniger als 70nm, da die resultierenden Kristalldefekte bei zu großen Gatelängen Ausbeuteprobleme erzeugen können. Offensichtlich hat AMD hier gute Arbeit bei der Umsetzung gemacht. Warum diese technische Innovation allerdings nicht als Feature zum Launch groß publiziert wurde, bleibt uns ein Rätsel.
Wir haben bei AMD diesbezüglich nachgefragt und warten auf eine Stellungnahme. Auch welche Technik der Gitterverspannung, also uniaxial durch die Source-Drain-Gebiete oder biaxial durch einen Graded Silicon-Germanium Layer als Burried oder Surface Channel AMD verwendet, ist z.Z. noch offen. Wegen der Kooperation mit IBM darf allerdings von biaxialem Straining ausgegangen werden, da IBM diese Technologie entwickelt und forciert hat. Wir berichten, sobald es Neuigkeiten gibt.
