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AMD und IBM haben die gemeinsame Entwicklung der neuen Strained-Silicon-Transistortechnologie angekündigt. Damit ist es laut Aussage der Unternehmen möglich, die Leistungsfähigkeit von Prozessoren zu steigern sowie die Stromaufnahme zu optimieren.
Ich will lieber nochmal sagen, dass nicht die Si-Atome gestreckt/gestaucht werden, sondern die Gitterkonstanten. Somit kommt es zu einer Veränderung der Bandstruktur der Halbleiter und somit zu einer Veränderung der Leitfähigkeit etc. .
tja, dies bedeutet knapp 3 GHz in SOI-90nm oder eben 25 statt 35 Watt bei den Mobilen.
Der FX57 / 2,8 GHz dürfte so für AMD kein Hexenwerk mehr sein.
Auch ein IDLE / 1 GHz deutlich unter 10 Watt (Winchester aktuell 10-12 Watt typ.) verspricht lautlse und absolut kühle Desktop.
Ebenso 'Lanchester' in der 1M / 2,0-2,2 GHz Klasse, also auf Centrino-Niveau, aber mit 64 Bit Booster inside.
Natürlich auch IDLE-Werte um 1 Watt / 800 MHz, da wird der Centrino II /800MHz-IDLE/ FSB533 mehr benötigen.
Technisch für AMD und Partner ein deutlicher Schritt zur technologischen Führung.
"[...] indem die Siliziumatome in einem Transistor gestreckt und im anderen komprimiert werden."
Mal bitte vormachen...
Jaja, ihr habt den Text nur übernommen bla bla, der Text wird dadurch trotzdem nicht richtiger. Gestreckt wird nur das Kristallgitter durch Dotierung mit Germanium. Der mittlere Atomabstand weitet sich dadurch ein paar pm, was eine meßbare Leitfähigkeitssteigerung erzeugt.
