[Halbleiter]verbesserte Schaltgeschwindigkeit des cmos Netzes

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conspectumortis

Gast
Hi Leute,


ich hatte mal eine Seite von einem Professor für Physik bezüglich "Verbesserung der Schaltgeschwindigkeit durch Eleltronenwanderung im cmos-netz".
Dort wurde der physikalische Vorgang beschrieben den man durch das "burn-in" einer cpu (Halbleiter) erreichen kann ,mit Zeichnungen usw.

Leider fehlt mir die Seite und ich wollte gerade jemanden das erklären, ohne die Seite siehts aber schlecht aus.
Hat zufällig jemand (vermutlich eher nicht,aber ich frag hier trotzdem mal ) eine Seite die den physikalischen Vorgang beschreibt ? (egal ob uni skript oder sonstwas)

Gruss
consi



Update: hat sich erledigt habs nach mehreren Stunden doch noch gefunden...
 
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