ReactivateMe347 schrieb:
Wäre das dann nicht ne gute Gelegenheit für Intel, GF, Samsung mit High-NA dei Aufholjagd zu starten? Oder gibt es High-NA bei ASML noch gar nicht?
GF ist gar nicht im Rennen.
Bei Intel hört es sich gar nicht mehr so überzeugt an, dass sie bei 14A High-NA einsetzen. Außerdem sollte man beachten, dass 18A bei weitem nicht die Dichte von TSMC N2 erreicht.
Samsung hat weder 3 nm noch 2 nm tatsächlich in HVM. Samsung ist technisch in einer viel schlechteren Situation als Intel.
TSMC hat mehr Erfahrung mit EUV als alle anderen zusammen. Mehrfach Belichtung bei EUV ist seit N3 notwendig, also hat TSMC damit ausreichend Erfahrung und kann gut abschätzen, ob sie damit A14 hinbekommen.
3 nm, 2 nm und A16 verwenden praktisch dieselben Pitches bei der Metallisierung. Also stellt sich die Frage für einen Wechsel auf High-NA erst bei A14.
Bei dem Volumen das TSMC hat, benötigt TSMC auch viele High-NA Stepper. Also ist es für TSMC besser so zu verfahren wie bei 7 nm.
@stefan92x hat einige der Nachteile von High-NA aufgelistet. Hinzu kommt, dass die Fokustiefe von High-NA kleiner ist, was wiederum eine Reihe von Problemen auslöst.
Low NA EUV ist extrem komplex. Dies hört mit den Maschinen von ASML noch lange nicht auf. High NA EUV erhöht die Komplexität.
Bei Intel bitte beachten, dieses five nodes in four years war Marketing Gewaesch.
7 nm war schon da. Intel 4 und Intel 3 sind ein Node und Intel 20A und Intel 18A sind ebenfalls ein Node. Keine Frage es ist eine gute Leistung wenn Intel gegen Ende des Jahres Panther Lake auf Intel 18 A fertigt, aber damit hat Intel nicht mit TSMC gleichgezogen.