Memtest86 zeigt auch Fehler wenn der Speicher total OK ist aber einfach zu schnell im BIOS eingestellt :
https://www.computerbase.de/forum/t...ersettings-bei-i865pe-875p-datenfehler.40791/
@Premutos Hab ja auch das Asus P4C800 Deluxe Board und Corsair TwinX1024-3200LL ! läuft aber bei mir 1A ohne Memtest86-Errors.
(mit aktuellesten BIOS)
Schau nochmal in den Link oben, hier musst du die "RAS-Precharge" auf 3 stellen, alles andere kannst du aber auf schnellste Werte lassen
Hier dir korrekten Settings aus meinem BIOS :
(schnellere Settings egal wo provozieren bei mir memtest86-Errors)
.)
BIOS aktuallisieren: Beim P4C800-Deluxe wurden laut einem Testbericht der PCGH erst ab BIOS-Version 1007 oder höher einige Probleme mit gewissen Speichermarken behoben, Download also anzuraten :
http://www.asuscom.de/support/bios/liveupdate.htm
.)
Speicherslotbestückung beachten : Schau nochmal im Handbuch ob die 2 Speichermodule in den richtigen Slots sitzen, empfehle dir die 2 Module hintereinander in die Slots zu stecken welche der CPU/NB am nähesten sind, hab ich auch so gemacht bei mir, dadurch hast du möglichst kurze Signalwege zur NB was immer gut ist.
Dein PC-Startproblem hier erklärt : "Corsair verändert die Standardtimings der LL-Speicher" :
"Corsair, allseits für seine schnellen und qualitativ hochwertigen Speichermodule bekannt, hat, wie man uns gegenüber bestätigte, aus Kompatibilitätsgründen die Standardtimings aller LL und TWINX-LL Module etwas entschärft, um damit einigen Problemen mit i875P/i865PE Platinen entgegen zu treten.
Die sind auch uns in unserem Speicherkompatibilitätstest aufgefallen -
einige Platinen wollten einfach nicht mit den im SPD (Serial Presence Detect) der LL und TWINX-LL Speicher eingestellten Werten starten. Als kritischen Wert konnte Corsair hierbei tRCD (RAS to CAS Delay) ermitteln, welchen man nun von 2T auf 3T herabgesenkt. Somit werden alle LL und TWINX-LL Module nun mit den Timings 2-3-2-6 (tCL-tRCD-tRP-tRAS) anstatt wie bisher 2-2-2-6 ausgeliefert werden. Da es sich jedoch nach wie vor um die gleichen Module handelt, lassen sich je nach Mainboard natürlich auch die schnelleren Timings fahren, welche bisher standardmäßig im SPD zu finden waren."
Quelle :
https://www.computerbase.de/news/ar...ert-die-standardtimings-der-ll-speicher.7697/
Lösung jedoch beim Asus P4C800/Deluxe laut meinem Test : "RAS-Precharge" manuell auf 3
Warum ist das so bei dem Board ? :
Problem bei manchen i865PE/875P-Boards soll genauer sein das die LowLatency-Riegel allgemein einfach eine "zu schnelle" RAS-Precharge oder RAS to CAS von nur 2 haben. Intel unterstützt das bei diesen Chipsätzen aber eigentlich garnicht - auch wenn vorgesehn im BIOS (je nach Hersteller). Stellt man es auf SPD wird dann also bei 2-2-2-6-Speichermodulen quasi versucht aus dem SPD des Rams vorhandene Werte aufzuzwingen was das Board zwar übernehmen kann aber der Speichercontroller der Northbridge des i865PE/875P-Chipsatzes dafür nicht validiert wurde dafür von Intel was wohl nicht ganz egal sein dürfte.
Erklärung zu den BIOS-Timings :
Ras To Cas :
Eine Speicherzelle besteht aus Zeilen und Spalten in denen adressiert wird. Ras To Cas = Taktzykluse zwischen Adressierung in der Zeile=RAS und der Spalte=CAS bis gültig ausgelessen werden darf. Primär lassen / höher jedoch zuverlässiger + etwas langsamer da später erst durch hier lämgeres Interval ausgellesen wird
CAS Latenzy :
Takzyklus zwischen nun endgültigen Adressierung und deren Gültigkeit b.z.w. Bereitstellung der Daten aus dieser Adresse."Gültig" sind nur Daten die diese ganze Prozedur komplett durch sind, eine künstlich-erzwungene zu geringe CAS kann also ebenfalls Fehler verursachen wenn dann "unfertige" (zu früh als fertig) - Daten eben ungültigerweise entstehen.
(RAS)-Precharge Time :
Erholungs/Ladezeit der Bitleitungen,diese müssen in den Speicherzellen geladen sein damit überhaupt eine Datenverarbeitung stattfinden kann- besser lassen auch wenn da geringere Werte hier durch künstlich erzwungenes Refrehsen ein wenig mehr bringen weil sie andere Vorgänge so "mitreisen" jedoch nicht so viel bringt wie z.b. weniger Ras To Cas.
DRAM Refresh Rate :
Ein Speicher besitzt mehrere Speicherzellen. Diese Zellen müssen in einem bestimmten Zyklus wieder "aufgeladen" werden da DRAM ein flüchtiger Speicher ist können Daten nur gehalten/ausgelessen werden wenn diese unter Strom stehen, das geschieht nicht gleichzeitig bei allen auf einmal sondern nur gewissen Reihen, den Zyklus innerhalb dessen kann man hier angeben.Bringt nicht wirklich mehr Leistung, die Einstellunge "Auto" oder 64T ist meist optimal.Zu spätes wiederaufladen der Speicherzellen kann dazu führen das Daten verloren gehen und somit nicht mehr oder korrupt ausgellessen werden-weswegen man das besser lässt.("Auto")
Burst Length :
Der Speicher kann selber die nächste Adresse vorherbestimmen, bei der nach dem ansprechen der ersten Adresse übergegangen wird.Hier gilt jedoch : Je mehr desto schneller, diese Technik bringt jedoch kaum nennenswerten Speed, ein höherer Wert aber in der Regel keine Probleme.
DRAM Idle Timer :
Ruhezyklus bevor eine offene DRAM-Page(=Speicherseite) geschlossen wird wenn von der CPU b.z.w. Speichercontroller Abrufe auf diese nicht mehr erfolgt.Besser auf "AUTO" lassen weil : Ein zu geringer Wert kann dazu führen das sie zu schnell verschlossen wird wodurch Daten nicht vollständig entladen werden und jene im nächsten Zyklus korumpieren, ein zu langsames schliessen das sie mit dem nächsten offenhalten kolidieren.In Bezug auf Leistung auch kaum sinnvoll da rumzumachen.
PerfomanceAccelerationMode :
Ist das "PAT", schnellere Speichercontroller-Technologie welche der intel875P beherscht und mann daher bedenkenlos aktivieren kann und sollte (enabled)
