Samsung 850 Evo V2 im Test : 48-Layer-V-NAND macht die Empfehlung noch eindeutiger

, 90 Kommentare
Samsung 850 Evo V2 im Test: 48-Layer-V-NAND macht die Empfehlung noch eindeutiger

Bereits seit August 2015 fertigt Samsung die dritte Generation von NAND-Flash mit übereinander gestapelten Zellebenen, den sogenannten 3D-NAND oder V-NAND (Vertical NAND), in Serie.

Zunächst nur in der externen Portable SSD T3 eingesetzt, wird der neue V-NAND mit 48 statt 32 Lagen und 256 statt 128 Gigabit auch in der internen Samsung 850 Evo eingeführt. Die Umstellung erfolge „sukzessive“ für alle Modelle der Serie inklusive der mSATA- und M.2-Varianten. Den Anfang machen jedoch die herkömmlichen 2,5-Zoll-Modelle mit 250, 500 und 1.000 GByte.

ComputerBase hat die neue Generation der Samsung 850 Evo in Form der Modelle mit 250 und 500 GByte den jeweiligen Vorgängern gegenüber gestellt und Leistung sowie Leistungsaufnahme verglichen. Ursprünglich sollte auch das 1-TB-Modell getestet werden, doch entpuppte sich dessen Muster als falsch gelieferte erste Generation.

Technik im Überblick

Der MGX-Controller mit vier Speicherkanälen bildet nun auch die Basis für das 1-TB-Modell, das zuvor mit dem MEX-Controller bestückt war. Vermutlich wird auch die 2-TB-Version der 850 Evo künftig mit dem MGX- statt dem MHX-Controller versehen, denn bei der Portable SSD T3 mit 2 TByte hatte Samsung bereits auf diesen Chip zurückgegriffen. Die einst von Samsung für den MGX-Controller genannte Limitierung auf 512 GByte gilt spätestens seit Einführung des neuen V-NAND nicht mehr.

Eine weitere Änderung betrifft den DRAM-Cache, der in der Neuauflage dem Typ LPDDR3 angehört, die Cache-Größen bleiben, soweit bekannt, unverändert. Auch beim SLC-Cache, den Samsung unter TurboWrite vermarktet, gibt es keine Änderungen, womit es beim 250-GB-Modell weiterhin 3 GByte und beim 500-GB-Modell weiterhin 6 GByte sind. Die offiziellen Spezifikationen mit Angaben zu Leistung und Haltbarkeit bleiben wie der Funktionsumfang inklusive DevSleep und diversen Verschlüsselungstandards unverändert.

Samsung 850 Evo V2 Samsung 850 Evo V1
Speicherplatz 250 GB 500 GB 250 GB 500 GB
Controller Samsung MGX (S4LN062X01-Y030)
2 Cortex-R4-Kerne
4 Kanäle
Cache 512 MB (LPDDR3 Samsung) 512 MB (LPDDR2 Samsung)
NAND-Packages 1 × K90MGY8S7M 2 × K90MGY8S7M 2 × K90KGY8S7C 4 × K90KGY8S7C
NAND-Dies/Package 8 × 256 Gbit (Samsung TLC 3D V-NAND mit 48 Ebenen) 8 × 128 Gbit (Samsung TLC 3D V-NAND mit 32 Ebenen)
Schnittstelle SATA 3 (6 Gb/s)

Die Stockwerke im Speicher machen den Unterschied

Der wesentliche Unterschied, der zudem künftig die ganze Serie betrifft, beruht im eingesetzten 3D-TLC-Speicher. Während es für die 850-Evo-Serie die zweite Generation ist, handelt es sich bei dem neuen TLC-V-NAND mit 48 Lagen und doppelter Kapazität bereits um die dritte Generation, auf die in einem nachfolgenden Abschnitt näher eingegangen wird.

Die grundlegende Technik nennt sich weiterhin Charge Trap Flash (CTF), wie sie auch SanDisk/Toshiba und SK Hynix verwenden. Nur IMFT (Intel/Micron) geht einen eigenen Weg und setzt auf eine Variante der seit Jahrzehnten verwendeten Floating-Gate-Technik. Was sich hinter der CTF-Technik des V-NAND verbirgt, wurde im Test der Samsung 850 Pro näher beschrieben.

Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)

Der Blick ins Innere des 2,5-Zoll-Gehäuses offenbart die Leiterplatte, die nun auch beim 500-GB-Modell so winzig wie bei der 250-GB-Version ausfällt. Die Zahl der Speicherbausteine (Packages) hat sich halbiert. Das 500-GB-Modell trägt deren zwei, das 250-GB-Modell nur noch ein Package. In jedem Chip stecken demnach acht der neuen 256-Gbit-Dies, woraus sich pro Speicherbaustein 256 GByte ergeben.

Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung 850 Evo V2 mit 500 GB (links) und 250 GB (rechts)
Samsung SSD 850 Evo (V2, 250 GB) Samsung SSD 850 Evo (V2, 500 GB) Samsung SSD 850 Evo (V2, 1.000 GB) Samsung SSD 850 Evo (250 GB) Samsung SSD 850 Evo (500 GB) Samsung SSD 850 Evo (1000 GB)
Controller: Samsung MGX, 4 NAND-Channel Samsung MEX, 8 NAND-Channel
DRAM-Cache: 512 MB LPDDR3 1.024 MB LPDDR3 512 MB LPDDR2 1.024 MB LPDDR2
Speicherkapazität: 250 GB 500 GB 1.000 GB 250 GB 500 GB 1.000 GB
Speicherchips: Samsung Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit Samsung 40 nm Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 32 Lagen) NAND, 128 Gbit
Formfaktor: 2,5 Zoll (7 mm)
Interface: SATA 6 Gb/s
seq. Lesen: 540 MB/s
seq. Schreiben: 520 MB/s
4K Random Read: 97.000 IOPS 98.000 IOPS 97.000 IOPS 98.000 IOPS
4K Random Write: 88.000 IOPS 90.000 IOPS 88.000 IOPS 90.000 IOPS
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.): k. A.
Leistungsaufnahme Aktivität (max.): 4,40 W
Leistungsaufnahme Leerlauf: 50,0 mW
Leistungsaufnahme DevSleep: 2,00 mW 4,00 mW 2,00 mW 4,00 mW
Leistungsaufnahme L1.2: kein L1.2
Funktionen: AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep
Verschlüsselung: AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0, Windows eDrive
Total Bytes Written (TBW): 75,00 Terabyte 150,00 Terabyte 75,00 Terabyte 150,00 Terabyte
Garantie: 5 Jahre
Preis: ab 92 € ab 154 € ab 323 € ab 92 € ab 154 € ab 323 €
Preis je GB: € 0,37 € 0,31 € 0,32 € 0,37 € 0,31 € 0,32

Unterscheidungsmerkmale

Samsung hat sich dazu entschieden, die 850-Evo-Familie ohne eine Namensänderung mit dem neuen Speicher umzurüsten. Die niedrigere Leistungsaufnahme als „kleiner Nebeneffekt“ rechtfertigt aus Sicht von Samsung keine komplett neue Serie.

Was ist neu, was ist alt?

Für Käufer sind die Möglichkeiten zur Unterscheidung zwischen alter und neuer Version daher allerdings beschränkt. Allein die Tatsache, dass für den Test vom Hersteller ein falsches Muster der alten Generation zugesendet wurde, spricht Bände. Wer dem Händler vor Ort einen Besuch abstattet, hat dabei noch die besten Chancen, denn laut Hersteller sind die neuen Versionen anhand der geänderten Verpackung zu erkennen: Statt des orangenen Schriftzugs „Powered by 3D V-NAND Technology“ ziert nun ein „V-NAND“-Schriftzug mit blauem „V“ die Schachtel.

Samsung 850 Evo V2 mit 256-Gbit-3D-NAND
Samsung 850 Evo V2 mit 256-Gbit-3D-NAND
Samsung 850 Evo V1
Samsung 850 Evo V1 (Bild: Samsung)

Im Online-Handel ist die Unterscheidung schwieriger, der Einsatz neuer Artikelnummern für die Neuauflage ist den Händlern überlassen, erklärte Samsung. Doch von dieser Methode wird augenscheinlich kein Gebrauch gemacht.

Der Lieferumfang bleibt mit SSD, Installationsanleitung und Garantiehinweisen in Papierform sowie Software auf CD der gleiche.

Samsung 850 Evo V2 mit 256-Gbit-3D-NAND
Samsung 850 Evo V2 mit 256-Gbit-3D-NAND
Samsung 850 Evo V1
Samsung 850 Evo V1 (Bild: Samsung)

Auf der nächsten Seite: V-NAND Gen3 mit 256 Gbit und 48 Ebenen